MOSFET Vishay, canale Tipo P 20 V, 165 mΩ Miglioramento, 3.5 A, 3 Pin, SOT-23, Superficie SI2377EDS-T1-GE3

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Codice RS:
165-6912
Codice costruttore:
SI2377EDS-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo P

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

3.5A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

20V

Tipo di package

SOT-23

Serie

Si2377EDS

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

165mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

1.8W

Tensione diretta Vf

0.8V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

8V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

14nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

1.02mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

3.04mm

Larghezza

1.4mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN

MOSFET canale P, da 8 V a 20 V, Vishay Semiconductor


Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor


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