MOSFET Vishay, canale Tipo P 20 V, 165 mΩ Miglioramento, 3.5 A, 3 Pin, SOT-23, Superficie SI2377EDS-T1-GE3

Visualizza MOSFET
Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 confezione da 20 unità*

8,04 €

(IVA esclusa)

9,80 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • 6660 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".

Unità
Per unità
Per confezione*
20 - 1800,402 €8,04 €
200 - 4800,306 €6,12 €
500 - 9800,282 €5,64 €
1000 - 19800,241 €4,82 €
2000 +0,21 €4,20 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
812-3145
Codice costruttore:
SI2377EDS-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo P

Massima corrente di scarico continua Id

3.5A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

20V

Tipo di package

SOT-23

Serie

Si2377EDS

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

165mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

1.8W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

14nC

Tensione diretta Vf

0.8V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

3.04mm

Altezza

1.02mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN

MOSFET canale P, da 8 V a 20 V, Vishay Semiconductor


Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor


Link consigliati