MOSFET Vishay, canale P, 165 mΩ, 3,5 A, SOT-23, Montaggio superficiale

Codice RS:: 812-3145
Codice costruttore:: SI2377EDS-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

MOSFET Vishay, canale P, 165 mΩ, 3,5 A, SOT-23, Montaggio superficiale

Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1pz in confezione da 20**

0,33 €

(IVA esclusa)

0,40 €

(IVA inclusa)

6920 Disponibile per la consegna entro 3 giorni lavorativi, per ordini effettuati entro le 19:00 (magazzini in Europa)*

* Le date di consegna possono variare in base alla quantità selezionata e all'indirizzo di consegna.

Consegna GRATUITA per ordini superiori a € 100,00

Unità	Per unità	Per confezione**
20 - 180	0,33 €	6,60 €
200 - 480	0,251 €	5,02 €
500 - 980	0,231 €	4,62 €
1000 - 1980	0,198 €	3,96 €
2000 +	0,171 €	3,42 €

**prezzo indicativo

Codice RS:: 812-3145
Codice costruttore:: SI2377EDS-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

Si2377EDS, P-Channel 20V (D-S) MOSFET
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	P
Corrente massima continuativa di drain	3,5 A
Tensione massima drain source	20 V
Tipo di package	SOT-23
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	165 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate minima	0.4V
Dissipazione di potenza massima	1,8 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-8 V, +8 V
Numero di elementi per chip	1
Materiale del transistor	Si
Larghezza	1.4mm
Carica gate tipica @ Vgs	14 nC a 8 V
Lunghezza	3.04mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Altezza	1.02mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET Vishay, canale P, 165 mΩ, 3,5 A, SOT-23, Montaggio superficiale

Consegna GRATUITA per ordini superiori a € 100,00

MOSFET canale P, da 8 V a 20 V, Vishay Semiconductor

Link consigliati