MOSFET Vishay, canale Tipo P 60 V, 345 mΩ Miglioramento, 1.2 A, 3 Pin, SOT-23, Superficie SI2309CDS-T1-GE3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
710-3250
Codice costruttore:
SI2309CDS-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo P

Massima corrente di scarico continua Id

1.2A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Serie

Si2309CDS

Tipo di package

SOT-23

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

345mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

2.7nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

-1.2V

Dissipazione di potenza massima Pd

1W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

3.04mm

Altezza

1.02mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

MOSFET canale P, da 30V a 80V, Vishay Semiconductor


Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor


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