MOSFET Vishay, canale Tipo P -60 V, 345 mΩ Miglioramento, 1.2 A, 3 Pin, SOT-23, Superficie

Codice RS:: 919-0262
Codice costruttore:: SI2309CDS-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

MOSFET Vishay, canale Tipo P -60 V, 345 mΩ Miglioramento, 1.2 A, 3 Pin, SOT-23, Superficie

Prezzo per 1 bobina da 3000 unità*

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Codice RS:: 919-0262
Codice costruttore:: SI2309CDS-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Vishay
	Tipo di canale	Tipo P
	Tipo prodotto	MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id	1.2A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	-60V
	Serie	Si2309CDS
	Tipo di package	SOT-23
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	345mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Tensione diretta Vf	-1.2V
	Dissipazione di potenza massima Pd	1.7W
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	2.7nC
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	20V
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Lunghezza	3.04mm
	Altezza	1.02mm
	Larghezza	1.4mm
	Standard/Approvazioni	RoHS
	Standard automobilistico	No

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	Marchio Vishay
	Tipo di canale Tipo P
	Tipo prodotto MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id 1.2A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds -60V
	Serie Si2309CDS
	Tipo di package SOT-23
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 345mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Tensione diretta Vf -1.2V
	Dissipazione di potenza massima Pd 1.7W
	Minima temperatura operativa -55°C
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 2.7nC
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Lunghezza 3.04mm
	Altezza 1.02mm
	Larghezza 1.4mm
	Standard/Approvazioni RoHS
	Standard automobilistico No

Paese di origine:: CN

MOSFET serie Si2309CDS di Vishay, tensione di sorgente di drenaggio -60 V, corrente di drenaggio continua 1,2 A - SI2309CDS-T1-GE3

Questo MOSFET a canale p è un transistor a montaggio superficiale progettato per le attività di commutazione e controllo in assemblaggi elettronici compatti. Funziona come un dispositivo in modalità di potenziamento adatto per circuiti a bassa e media corrente, offrendo un equilibrio tra gestione della tensione e resistenza termica per le applicazioni industriali.

Caratteristiche e vantaggi:

• Vds massimo di -60 V per capacità di commutazione ad alta tensione • corrente di drenaggio continua di 1,2 A per una gestione del carico moderata • Rds(on) 345 mΩ per perdite di conduzione prevedibili • Carica gate tipica 2,7 nC per un gate drive efficiente • Dissipazione di potenza di 1,7 W a supporto della pianificazione del bilancio termico • Intervallo di funzionamento da -55 °C a 150 °C per ambienti ad ampia temperatura

Applicazioni

• Adatto per la commutazione del carico nei moduli di controllo dell'automazione • Ideale per circuiti di protezione contro l'inversione di polarità della guida di alimentazione • Utilizzato con schede di gestione della batteria e di distribuzione dell'alimentazione • Può essere utilizzato per lo spostamento di livello e le fasi di potenza a piccolo segnale

Quale tipo di contenitore viene utilizzato per i layout delle schede compatte?

È fornito in un contenitore SOT‐23 configurato per il montaggio superficiale a tre pin, facilitando l'assemblaggio denso del circuito stampato.

In che modo il dispositivo gestisce i requisiti di azionamento del gate?

Il gate può essere azionato in un intervallo di ±20 V rispetto alla sorgente, consentendo la compatibilità con le comuni tensioni di controllo e limitando al contempo la tensione del gate.

Quali sono le considerazioni termiche da tenere in considerazione nella progettazione?

Con una dissipazione di potenza massima di 1,7 W, il rame per scheda e le vie termiche devono essere dimensionati per gestire la temperatura di giunzione sotto carico entro l'intervallo specificato da -55 °C a 150 °C.

Ci sono restrizioni ambientali o materiali da notare?

Il componente è conforme ai requisiti RoHS, il che indica che le sostanze pericolose soggette a restrizioni sono controllate nella sua produzione.