MOSFET Vishay, canale Tipo P 150 V, 1.2 Ω Miglioramento, 530 mA, 3 Pin, SOT-23, Superficie SI2325DS-T1-E3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
710-3263
Codice costruttore:
SI2325DS-T1-E3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo P

Massima corrente di scarico continua Id

530mA

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

150V

Serie

Si2325DS

Tipo di package

SOT-23

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.2Ω

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

750mW

Tensione diretta Vf

-1.2V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

7.7nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

3.04mm

Larghezza

1.4 mm

Altezza

1.02mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN

MOSFET canale P, da 100V a 400V, Vishay Semiconductor


Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor


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