MOSFET Vishay, canale Tipo P 150 V, 1.2 Ω Miglioramento, 530 mA, 3 Pin, SOT-23, Superficie SI2325DS-T1-E3

Visualizza MOSFET

Prezzo per 1 confezione da 5 unità*

5,14 €

(IVA esclusa)

6,27 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • 15 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
  • Più 2095 unità in spedizione dal 09 gennaio 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per confezione*
5 +1,028 €5,14 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
710-3263
Codice costruttore:
SI2325DS-T1-E3
Costruttore:
Vishay
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo P

Massima corrente di scarico continua Id

530mA

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

150V

Tipo di package

SOT-23

Serie

Si2325DS

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.2Ω

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

7.7nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

750mW

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

-1.2V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

1.4 mm

Lunghezza

3.04mm

Altezza

1.02mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN

MOSFET canale P, da 100V a 400V, Vishay Semiconductor


Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor


Link consigliati