MOSFET Vishay, canale Tipo P 20 V, 112 mΩ Miglioramento, 3.1 A, 3 Pin, SOT-23, Superficie SI2301CDS-T1-E3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
180-7719
Codice costruttore:
SI2301CDS-T1-E3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo P

Massima corrente di scarico continua Id

3.1A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

20V

Serie

TrenchFET

Tipo di package

SOT-23

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

112mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

8 V

Dissipazione di potenza massima Pd

1W

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

10nC

Tensione diretta Vf

-1.2V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

3.04mm

Altezza

1.12mm

Larghezza

2.64 mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN

MOSFET Vishay


Il MOSFET a canale P a montaggio superficiale Vishay è un prodotto di nuova generazione con una tensione drain-source di 20V e una tensione gate-source massima di 8V. Ha una resistenza drain-source di 112mohm a una tensione gate-source di 4,5 V. Ha una corrente di drain continua di 3,1 a e massima dissipazione di potenza di 1,6 W. La tensione minima e massima di pilotaggio per questo transistore sono rispettivamente 2,5 V e 4,5 V. È dotato di un'applicazione negli interruttori di carico per dispositivi portatili. Il MOSFET è stato ottimizzato per ridurre le perdite di conduzione e commutazione. Il MOSFET offre un'eccellente efficienza insieme a una lunga durata produttiva senza compromettere le prestazioni o la funzionalità.

Caratteristiche e vantaggi


• Senza alogeni

• senza piombo (Pb)

• la temperatura d'esercizio è compresa tra -55 °C e 150 °C.

MOSFET di potenza TrenchFET da •

Certificazioni


• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• IEC 61249-2-21

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