- Codice RS:
- 919-0250
- Codice costruttore:
- SI2301CDS-T1-GE3
- Costruttore:
- Vishay
Prodotto non a stock - in consegna appena disponibile
Prezzo per Unità (Su Bobina da 3000)
0,114 €
(IVA esclusa)
0,139 €
(IVA inclusa)
Unità | Per unità | Per bobina* |
---|---|---|
3000 - 3000 | 0,114 € | 342,00 € |
6000 + | 0,108 € | 324,00 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 919-0250
- Codice costruttore:
- SI2301CDS-T1-GE3
- Costruttore:
- Vishay
Documentazione Tecnica
Normative
- Paese di origine:
- CN
Dettagli prodotto
MOSFET canale P, da 8 V a 20 V, Vishay Semiconductor
Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor
Specifiche
Attributo | Valore |
---|---|
Tipo di canale | P |
Corrente massima continuativa di drain | 2,3 A |
Tensione massima drain source | 20 V |
Tipo di package | SOT-23 |
Tipo di montaggio | Montaggio superficiale |
Numero pin | 3 |
Resistenza massima drain source | 112 mΩ |
Modalità del canale | Enhancement |
Tensione di soglia gate minima | 0.4V |
Dissipazione di potenza massima | 860 mW |
Configurazione transistor | Singolo |
Tensione massima gate source | -8 V, +8 V |
Larghezza | 1.4mm |
Carica gate tipica @ Vgs | 3,3 nC a 2,5 V, 5,5 nC a 4,5 V |
Lunghezza | 3.04mm |
Massima temperatura operativa | +150 °C |
Numero di elementi per chip | 1 |
Materiale del transistor | Si |
Minima temperatura operativa | -55 °C |
Altezza | 1.02mm |
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