MOSFET Vishay, canale P, 112 mΩ, 2,3 A, SOT-23, Montaggio superficiale

Codice RS:: 919-0250
Codice costruttore:: SI2301CDS-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

MOSFET Vishay, canale P, 112 mΩ, 2,3 A, SOT-23, Montaggio superficiale

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Codice RS:: 919-0250
Codice costruttore:: SI2301CDS-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	P
Corrente massima continuativa di drain	2,3 A
Tensione massima drain source	20 V
Tipo di package	SOT-23
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	112 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate minima	0.4V
Dissipazione di potenza massima	860 mW
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-8 V, +8 V
Massima temperatura operativa	+150 °C
Numero di elementi per chip	1
Materiale del transistor	Si
Larghezza	1.4mm
Carica gate tipica @ Vgs	3,3 nC a 2,5 V, 5,5 nC a 4,5 V
Lunghezza	3.04mm
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	1.02mm

MOSFET Vishay, canale P, 112 mΩ, 2,3 A, SOT-23, Montaggio superficiale

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MOSFET canale P, da 8 V a 20 V, Vishay Semiconductor

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