MOSFET Vishay, canale P, 35 mΩ, 4,4 A, SOT-23, Montaggio superficiale

Codice RS:: 919-0269
Codice costruttore:: SI2305CDS-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

MOSFET Vishay, canale P, 35 mΩ, 4,4 A, SOT-23, Montaggio superficiale

Prezzo per Unità (Su Bobina da 3000)**

0,089 €

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Unità	Per unità	Per bobina**
3000 +	0,089 €	267,00 €

**prezzo indicativo

Codice RS:: 919-0269
Codice costruttore:: SI2305CDS-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	P
Corrente massima continuativa di drain	4,4 A
Tensione massima drain source	8 V
Tipo di package	SOT-23
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	35 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate minima	0.4V
Dissipazione di potenza massima	960 mW
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-8 V, +8 V
Carica gate tipica @ Vgs	12 nC a 4,5 V, 20 nC a 8 V
Materiale del transistor	Si
Lunghezza	3.04mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Numero di elementi per chip	1
Larghezza	1.4mm
Altezza	1.02mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET Vishay, canale P, 35 mΩ, 4,4 A, SOT-23, Montaggio superficiale

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MOSFET canale P, da 8 V a 20 V, Vishay Semiconductor

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