MOSFET Vishay, canale P, 35 mΩ, 4,4 A, SOT-23, Montaggio superficiale

Codice RS:: 919-0269
Codice costruttore:: SI2305CDS-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

MOSFET Vishay, canale P, 35 mΩ, 4,4 A, SOT-23, Montaggio superficiale

Prezzo per Unità (Su Bobina da 3000)

0,103 €

(IVA esclusa)

0,126 €

(IVA inclusa)

55180 Disponibile per la consegna entro 4 giorni lavorativi, per ordini effettuati entro le 19:00 (magazzini in Europa)*

* Le date di consegna possono variare in base alla quantità selezionata e all'indirizzo di consegna.

Unità	Per unità	Per bobina**
3000 - 3000	0,103 €	309,00 €
6000 +	0,098 €	294,00 €

**prezzo indicativo

Codice RS:: 919-0269
Codice costruttore:: SI2305CDS-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	P
Corrente massima continuativa di drain	4,4 A
Tensione massima drain source	8 V
Tipo di package	SOT-23
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	35 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate minima	0.4V
Dissipazione di potenza massima	960 mW
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-8 V, +8 V
Lunghezza	3.04mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Carica gate tipica @ Vgs	12 nC a 4,5 V, 20 nC a 8 V
Materiale del transistor	Si
Numero di elementi per chip	1
Larghezza	1.4mm
Altezza	1.02mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET Vishay, canale P, 35 mΩ, 4,4 A, SOT-23, Montaggio superficiale

MOSFET canale P, da 8 V a 20 V, Vishay Semiconductor