MOSFET Vishay, canale Canale P -20 V, 0.142 Ω Miglioramento, -3.1 A, 3 Pin, SOT-23, Montaggio superficiale

Visualizza MOSFET
Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 unità*

0,18 €

(IVA esclusa)

0,22 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Temporaneamente esaurito
  • Spedizione a partire dal 31 marzo 2027
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
1 - 240,18 €
25 - 990,12 €
100 - 4990,10 €
500 +0,07 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
735-212
Codice costruttore:
SI2301HDS-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Vishay

Tipo di canale

Canale P

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

-3.1A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

-20V

Tipo di package

SOT-23

Serie

TrenchFET

Tipo montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.142Ω

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

5.5nC

Dissipazione di potenza massima Pd

1.6W

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

RoHS Compliant

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
IL

Link consigliati