MOSFET Vishay, canale Tipo N 100 V, 189 mΩ Miglioramento, 3.1 A, 3 Pin, SOT-23, Superficie

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Codice RS:
180-7275
Codice costruttore:
SI2392ADS-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

3.1A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Serie

TrenchFET

Tipo di package

SOT-23

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

189mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

2.9nC

Tensione diretta Vf

-1.2V

Dissipazione di potenza massima Pd

1.6W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

3.04mm

Larghezza

2.64 mm

Altezza

1.12mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN

MOSFET Vishay


Il MOSFET a canale N a montaggio superficiale Vishay è un prodotto di nuova generazione con una resistenza drain-source di 126mohm a una tensione gate-source di 10V. Ha una tensione gate-source massima di 20V e una tensione drain-source di 100V. Il MOSFET ha una tensione di pilotaggio minima e massima di 4,5 V e 10V rispettivamente. Ha una corrente di drain continua di 3,1 a e massima dissipazione di potenza di 2,5 W. È stato ottimizzato per ridurre le perdite di conduzione e commutazione. Il MOSFET offre un'eccellente efficienza insieme a una lunga durata produttiva senza compromettere le prestazioni o la funzionalità.

Caratteristiche e vantaggi


• Senza alogeni

• senza piombo (Pb)

• la temperatura d'esercizio è compresa tra -55 °C e 150 °C.

MOSFET di potenza TrenchFET da •

Applications


• convertitori boost

• convertitori c.c./c.c.

• retroilluminazione a LED di TV LCD

• interruttore di distribuzione di carico

• Gestione dell'alimentazione per il mobile computing

Certificazioni


• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• Rg testato

• UIS testato

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