MOSFET Vishay, canale N, 0,189 O, 3,1 A, SOT-23, Montaggio superficiale

Il MOSFET a canale N a montaggio superficiale Vishay è un prodotto di nuova generazione con una resistenza drain-source di 126mohm a una tensione gate-source di 10V. Ha una tensione gate-source massima di 20V e una tensione drain-source di 100V. Il MOSFET ha una tensione di pilotaggio minima e massima di 4,5 V e 10V rispettivamente. Ha una corrente di drain continua di 3,1 a e massima dissipazione di potenza di 2,5 W. È stato ottimizzato per ridurre le perdite di conduzione e commutazione. Il MOSFET offre un'eccellente efficienza insieme a una lunga durata produttiva senza compromettere le prestazioni o la funzionalità.

• Senza alogeni
• senza piombo (Pb)
• la temperatura d'esercizio è compresa tra -55 °C e 150 °C.
MOSFET di potenza TrenchFET da •

• convertitori boost
• convertitori c.c./c.c.
• retroilluminazione a LED di TV LCD
• interruttore di distribuzione di carico
• Gestione dell'alimentazione per il mobile computing

• ANSI/ESD S20.20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
• Rg testato
• UIS testato