MOSFET Vishay, canale Tipo N 100 V, 189 mΩ Miglioramento, 3.1 A, 3 Pin, SOT-23, Superficie SI2392ADS-T1-GE3

Codice RS:: 180-7811
Codice costruttore:: SI2392ADS-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

MOSFET Vishay, canale Tipo N 100 V, 189 mΩ Miglioramento, 3.1 A, 3 Pin, SOT-23, Superficie SI2392ADS-T1-GE3

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Codice RS:: 180-7811
Codice costruttore:: SI2392ADS-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Vishay
	Tipo di canale	Tipo N
	Tipo prodotto	MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id	3.1A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	100V
	Serie	TrenchFET
	Tipo di package	SOT-23
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	189mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Dissipazione di potenza massima Pd	1.6W
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	2.9nC
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	20 V
	Tensione diretta Vf	-1.2V
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Altezza	1.12mm
	Larghezza	2.64 mm
	Standard/Approvazioni	No
	Lunghezza	3.04mm
	Standard automobilistico	No

	Seleziona tutto
	Marchio Vishay
	Tipo di canale Tipo N
	Tipo prodotto MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id 3.1A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 100V
	Serie TrenchFET
	Tipo di package SOT-23
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 189mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Dissipazione di potenza massima Pd 1.6W
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 2.9nC
	Minima temperatura operativa -55°C
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V
	Tensione diretta Vf -1.2V
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Altezza 1.12mm
	Larghezza 2.64 mm
	Standard/Approvazioni No
	Lunghezza 3.04mm
	Standard automobilistico No

Datasheet

Paese di origine:: CN

MOSFET Vishay

Il MOSFET a canale N a montaggio superficiale Vishay è un prodotto di nuova generazione con una resistenza drain-source di 126mohm a una tensione gate-source di 10V. Ha una tensione gate-source massima di 20V e una tensione drain-source di 100V. Il MOSFET ha una tensione di pilotaggio minima e massima di 4,5 V e 10V rispettivamente. Ha una corrente di drain continua di 3,1 a e massima dissipazione di potenza di 2,5 W. È stato ottimizzato per ridurre le perdite di conduzione e commutazione. Il MOSFET offre un'eccellente efficienza insieme a una lunga durata produttiva senza compromettere le prestazioni o la funzionalità.

Caratteristiche e vantaggi

• Senza alogeni

• senza piombo (Pb)

• la temperatura d'esercizio è compresa tra -55 °C e 150 °C.

MOSFET di potenza TrenchFET da •

Applications

• convertitori boost

• convertitori c.c./c.c.

• retroilluminazione a LED di TV LCD

• interruttore di distribuzione di carico

• Gestione dell'alimentazione per il mobile computing

Certificazioni

• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• Rg testato

• UIS testato