MOSFET Vishay, canale Tipo P -150 V, 1.2 Ω Miglioramento, -530 mA, 3 Pin, SOT-23, Superficie

Codice RS:: 919-0275
Codice costruttore:: SI2325DS-T1-E3
Costruttore:: Vishay

MOSFET Vishay, canale Tipo P -150 V, 1.2 Ω Miglioramento, -530 mA, 3 Pin, SOT-23, Superficie

Prezzo per 1 bobina da 3000 unità*

1236,00 €

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Codice RS:: 919-0275
Codice costruttore:: SI2325DS-T1-E3
Costruttore:: Vishay

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Vishay
	Tipo di canale	Tipo P
	Tipo prodotto	MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id	-530mA
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	-150V
	Tipo di package	SOT-23
	Serie	Si2325DS
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	1.2Ω
	Modalità canale	Miglioramento
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	20V
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	7.7nC
	Tensione diretta Vf	-1.2V
	Dissipazione di potenza massima Pd	750mW
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Lunghezza	3.04mm
	Larghezza	1.4mm
	Standard/Approvazioni	RoHS
	Altezza	1.02mm
	Standard automobilistico	No

	Seleziona tutto
	Marchio Vishay
	Tipo di canale Tipo P
	Tipo prodotto MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id -530mA
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds -150V
	Tipo di package SOT-23
	Serie Si2325DS
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 1.2Ω
	Modalità canale Miglioramento
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 7.7nC
	Tensione diretta Vf -1.2V
	Dissipazione di potenza massima Pd 750mW
	Minima temperatura operativa -55°C
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Lunghezza 3.04mm
	Larghezza 1.4mm
	Standard/Approvazioni RoHS
	Altezza 1.02mm
	Standard automobilistico No

Paese di origine:: CN

MOSFET serie Si2325DS di Vishay, tensione massima della sorgente di drenaggio -150 V, resistenza massima della sorgente di drenaggio 1,2 Ω - SI2325DS-T1-E3

Questo MOSFET a canale p è un dispositivo a semiconduttore a montaggio superficiale progettato per la commutazione e il controllo ad alta tensione in assemblaggi compatti. Funziona come un transistor in modalità di potenziamento adatto per l'uso nei casi in cui è richiesta la commutazione a polarità inversa o high-side ed è ottimizzato per una bassa dissipazione di potenza in contenitori SOT-23 a piccolo fattore di forma. Il dispositivo funziona in un'ampia gamma di temperature, il che lo rende adatto per vari contesti elettronici industriali.

Caratteristiche e vantaggi:

• La tensione massima drain-source supporta applicazioni a 150 V • La resistenza drain-source di 1,2 Ω riduce le perdite di conduzione • La corrente di drenaggio continua di -530 mA consente l'azionamento di carichi modesti • La carica gate tipica di 7,7 nC consente transizioni gate più veloci • La dissipazione nominale di potenza di 750 mW limita l'accumulo termico • La tolleranza di tensione gate-source di 20 V consente margini di azionamento robusti

Applicazioni

• Adatto per la commutazione di carichi ad alta tensione nei sistemi di automazione • Ideale per la commutazione high-side nei moduli di controllo e alimentazione • Utilizzato per la protezione contro l'inversione di polarità nei progetti elettronici • Può essere utilizzato per circuiti di azionamento gate con spostamento di livello • Adatto per schede di gestione dell'alimentazione compatte nella strumentazione

Quali sono i limiti termici per un funzionamento affidabile?

Il dispositivo è specificato per funzionare tra -55 °C e 150 °C, consentendo l'uso in intervalli di temperatura industriali tipici.

In che modo il pacchetto influisce sul layout della scheda?

Il contenitore a montaggio superficiale SOT-23 con tre pin e ingombro compatto supporta un assemblaggio denso e un facile posizionamento termico per la gestione del calore.

Quale vincolo elettrico devono osservare i progettisti per il pilotaggio dei gate?

I progettisti devono limitare la tensione gate-sorgente entro ±20 V per evitare lo stress dielettrico del gate e garantire l'affidabilità a lungo termine.

In che modo le considerazioni sulla dissipazione di potenza devono influenzare la strategia di raffreddamento?

Con una dissipazione nominale di 750 mW, i progettisti devono fornire un'adeguata area di rame o dissipatore di calore sul circuito stampato per mantenere le temperature di giunzione sotto carico.