MOSFET Vishay, canale P, 1,2 Ω, 530 mA, SOT-23, Montaggio superficiale

Codice RS:: 919-0275
Codice costruttore:: SI2325DS-T1-E3
Costruttore:: Vishay

MOSFET Vishay, canale P, 1,2 Ω, 530 mA, SOT-23, Montaggio superficiale

Prezzo per Unità (Su Bobina da 3000)**

0,388 €

(IVA esclusa)

0,473 €

(IVA inclusa)

Verifica stock non disponibile - chiama per informazioni

Consegna GRATUITA per ordini superiori a € 100,00

Unità	Per unità	Per bobina**
3000 +	0,388 €	1.164,00 €

**prezzo indicativo

Codice RS:: 919-0275
Codice costruttore:: SI2325DS-T1-E3
Costruttore:: Vishay

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	P
Corrente massima continuativa di drain	530 mA
Tensione massima drain source	150 V
Tipo di package	SOT-23
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	1,2 Ω
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate minima	2.5V
Dissipazione di potenza massima	750 mW
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Massima temperatura operativa	+150 °C
Materiale del transistor	Si
Numero di elementi per chip	1
Lunghezza	3.04mm
Carica gate tipica @ Vgs	7,7 nC a 10 V
Larghezza	1.4mm
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	1.02mm

MOSFET Vishay, canale P, 1,2 Ω, 530 mA, SOT-23, Montaggio superficiale

Consegna GRATUITA per ordini superiori a € 100,00

MOSFET canale P, da 100V a 400V, Vishay Semiconductor

Link consigliati