Transistor MOSFET Vishay, canale P, 100 mΩ, 2.2 A, SOT-23, Montaggio superficiale

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
710-4660
Codice costruttore:
SI2301BDS-T1-E3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

P

Corrente massima continuativa di drain

2.2 A

Tensione massima drain source

20 V

Tipo di package

SOT-23

Tipo di montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

3

Resistenza massima drain source

100 mΩ

Modalità del canale

Enhancement

Tensione di soglia gate minima

0.45V

Dissipazione di potenza massima

700 mW

Tensione massima gate source

-8 V, +8 V

Massima temperatura operativa

+150 °C

Lunghezza

3.04mm

Carica gate tipica @ Vgs

4,5 nC a 4,5 V

Numero di elementi per chip

1

Larghezza

1.4mm

Altezza

1.02mm

Minima temperatura operativa

-55 °C

MOSFET canale P, da 8 V a 20 V, Vishay Semiconductor



Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor

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