MOSFET Nexperia, canale P, 210 mΩ, 1,2 A, SOT-23, Montaggio superficiale

Codice RS:: 165-8790
Codice costruttore:: PMV160UP,215
Costruttore:: Nexperia

MOSFET Nexperia, canale P, 210 mΩ, 1,2 A, SOT-23, Montaggio superficiale

Prezzo per Unità (Su Bobina da 3000)**

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Unità	Per unità	Per bobina**
3000 +	0,128 €	384,00 €

**prezzo indicativo

Codice RS:: 165-8790
Codice costruttore:: PMV160UP,215
Costruttore:: Nexperia

PMV160UP 20V, 1.2A P-channel Trench MOSFET datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	P
Corrente massima continuativa di drain	1,2 A
Tensione massima drain source	20 V
Tipo di package	SOT-23
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	210 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	0.95V
Tensione di soglia gate minima	0.45V
Dissipazione di potenza massima	2,17 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	+8 V
Numero di elementi per chip	1
Larghezza	1.4mm
Carica gate tipica @ Vgs	3,3 nC a 4,5 V
Lunghezza	3mm
Materiale del transistor	Si
Massima temperatura operativa	+150 °C
Altezza	1mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET Nexperia, canale P, 210 mΩ, 1,2 A, SOT-23, Montaggio superficiale

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MOSFET a canale P, Nexperia

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