MOSFET Nexperia, canale P, 36 mΩ, 4 A, SOT-23, Montaggio superficiale

Codice RS:: 165-9770
Codice costruttore:: PMV32UP,215
Costruttore:: Nexperia

MOSFET Nexperia, canale P, 36 mΩ, 4 A, SOT-23, Montaggio superficiale

Prezzo per Unità (Su Bobina da 3000)**

0,145 €

(IVA esclusa)

0,177 €

(IVA inclusa)

9000 disponibile per la consegna entro 1 - 2 giorni lavorativi per ordini pervenuti entro le 19:00 (magazzini in Europa). Accedi e verifica i tempi di consegna nel carrello*

* Le date di consegna possono variare in base alla quantità selezionata e all'indirizzo di consegna.

Consegna GRATUITA per ordini superiori a € 100,00

Clicca qui per verificare la disponibilità

Unità	Per unità	Per bobina**
3000 +	0,145 €	435,00 €

**prezzo indicativo

Codice RS:: 165-9770
Codice costruttore:: PMV32UP,215
Costruttore:: Nexperia

PMV32UP, 20V, 4A P-channel Trench MOSFET Data Sheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	P
Corrente massima continuativa di drain	4 A
Tensione massima drain source	20 V
Tipo di package	SOT-23
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	36 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	0.95V
Tensione di soglia gate minima	0.45V
Dissipazione di potenza massima	415 mW
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-8 V, +8 V
Massima temperatura operativa	+150 °C
Numero di elementi per chip	1
Larghezza	1.4mm
Carica gate tipica @ Vgs	15,5 nC a 4,5 V
Lunghezza	3mm
Materiale del transistor	Si
Altezza	1mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET Nexperia, canale P, 36 mΩ, 4 A, SOT-23, Montaggio superficiale

Consegna GRATUITA per ordini superiori a € 100,00

MOSFET a canale P, Nexperia

Link consigliati