MOSFET Nexperia, canale P, 36 mΩ, 4 A, SOT-23, Montaggio superficiale

Codice RS:: 165-9770
Codice costruttore:: PMV32UP,215
Costruttore:: Nexperia

MOSFET Nexperia, canale P, 36 mΩ, 4 A, SOT-23, Montaggio superficiale

Prezzo per Unità (Su Bobina da 3000)**

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Codice RS:: 165-9770
Codice costruttore:: PMV32UP,215
Costruttore:: Nexperia

PMV32UP, 20V, 4A P-channel Trench MOSFET Data Sheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	P
Corrente massima continuativa di drain	4 A
Tensione massima drain source	20 V
Tipo di package	SOT-23
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	36 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	0.95V
Tensione di soglia gate minima	0.45V
Dissipazione di potenza massima	415 mW
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-8 V, +8 V
Numero di elementi per chip	1
Larghezza	1.4mm
Materiale del transistor	Si
Massima temperatura operativa	+150 °C
Lunghezza	3mm
Carica gate tipica @ Vgs	15,5 nC a 4,5 V
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	1mm

MOSFET Nexperia, canale P, 36 mΩ, 4 A, SOT-23, Montaggio superficiale

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MOSFET a canale P, Nexperia

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