MOSFET Nexperia, canale P, 76 mΩ, 3,9 A, SOT-23, Montaggio superficiale

Codice RS:: 103-8142
Codice costruttore:: PMV65XP,215
Costruttore:: Nexperia

MOSFET Nexperia, canale P, 76 mΩ, 3,9 A, SOT-23, Montaggio superficiale

Prezzo per Unità (Su Bobina da 3000)**

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Codice RS:: 103-8142
Codice costruttore:: PMV65XP,215
Costruttore:: Nexperia

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	P
Corrente massima continuativa di drain	3,9 A
Tensione massima drain source	20 V
Tipo di package	SOT-23
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	76 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	0.9V
Tensione di soglia gate minima	0.47V
Dissipazione di potenza massima	1,92 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-12 V, +12 V
Larghezza	1.4mm
Materiale del transistor	Si
Carica gate tipica @ Vgs	7,6 nC a 4,5 V
Massima temperatura operativa	+150 °C
Lunghezza	3mm
Numero di elementi per chip	1
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	1mm

MOSFET Nexperia, canale P, 76 mΩ, 3,9 A, SOT-23, Montaggio superficiale

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MOSFET a canale P, Nexperia

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