MOSFET Nexperia, canale N 30 V, 69 mΩ Miglioramento, 3.9 A, 3 Pin, SOT-23, Superficie PMV50ENEAR
- Codice RS:
- 153-0664
- Codice costruttore:
- PMV50ENEAR
- Costruttore:
- Nexperia
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 153-0664
- Codice costruttore:
- PMV50ENEAR
- Costruttore:
- Nexperia
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Nexperia | |
| Tipo di canale | N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 3.9A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 30V | |
| Tipo di package | SOT-23 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 69mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 3.9W | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 6nC | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Altezza | 1mm | |
| Lunghezza | 3mm | |
| Larghezza | 1.4mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Nexperia | ||
Tipo di canale N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 3.9A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 30V | ||
Tipo di package SOT-23 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 69mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 3.9W | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 6nC | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Altezza 1mm | ||
Lunghezza 3mm | ||
Larghezza 1.4mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
30V, MOSFET Trench a canale N. Transistor a effetto di campo (FET) in modalità potenziata a canale N in un piccolo contenitore in plastica a montaggio superficiale (SMD, Surface-Mounted Device) SOT23 (TO-236AB) che utilizza la tecnologia MOSFET Trench.
Compatibile a livello logico
Commutazione rapidissima
Tecnologia MOSFET Trench
Protezione contro le scariche elettrostatiche (ESD): > 2 kV HBM
Qualifica AEC-Q101
Driver relè
Driver di linea ad alta velocità
Interruttore di carico low-side
Circuiti di commutazione
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