MOSFET Nexperia, canale Tipo N 30 V, 69 mΩ Miglioramento, 3.9 A, 3 Pin, SOT-23, Superficie PMV50ENEAR

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
153-0664
Codice costruttore:
PMV50ENEAR
Costruttore:
Nexperia
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Marchio

Nexperia

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

3.9A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Tipo di package

SOT-23

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

69mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

6nC

Dissipazione di potenza massima Pd

3.9W

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

1mm

Lunghezza

3mm

Larghezza

1.4 mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

AEC-Q101

30V, MOSFET Trench a canale N. Transistor a effetto di campo (FET) in modalità potenziata a canale N in un piccolo contenitore in plastica a montaggio superficiale (SMD, Surface-Mounted Device) SOT23 (TO-236AB) che utilizza la tecnologia MOSFET Trench.

Compatibile a livello logico

Commutazione rapidissima

Tecnologia MOSFET Trench

Protezione contro le scariche elettrostatiche (ESD): > 2 kV HBM

Qualifica AEC-Q101

Driver relè

Driver di linea ad alta velocità

Interruttore di carico low-side

Circuiti di commutazione

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