MOSFET Nexperia, canale N, 33 mΩ, 8,6 A, TO-236, Montaggio superficiale

Codice RS:: 170-4851
Codice costruttore:: PMV16XNR
Costruttore:: Nexperia

MOSFET Nexperia, canale N, 33 mΩ, 8,6 A, TO-236, Montaggio superficiale

Prezzo per Unità (Su Bobina da 3000)

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Unità	Per unità	Per bobina**
3000 +	0,076 €	228,00 €

**prezzo indicativo

Codice RS:: 170-4851
Codice costruttore:: PMV16XNR
Costruttore:: Nexperia

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	8,6 A
Tensione massima drain source	20 V
Serie	PMV16XN
Tipo di package	TO-236
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	33 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	0.9V
Tensione di soglia gate minima	0.4V
Dissipazione di potenza massima	6,94 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	12 V
Carica gate tipica @ Vgs	13,4 nC a 4,5 V
Lunghezza	3mm
Numero di elementi per chip	1
Massima temperatura operativa	+150 °C
Larghezza	1.4mm
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	1mm

MOSFET Nexperia, canale N, 33 mΩ, 8,6 A, TO-236, Montaggio superficiale

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