MOSFET Nexperia, canale Tipo N 20 V, 33 mΩ Miglioramento, 8.6 A, 3 Pin, SOT-23, Superficie
- Codice RS:
- 170-4851
- Codice costruttore:
- PMV16XNR
- Costruttore:
- Nexperia
Prezzo per 1 bobina da 3000 unità*
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Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 3000 + | 0,123 € | 369,00 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 170-4851
- Codice costruttore:
- PMV16XNR
- Costruttore:
- Nexperia
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Nexperia | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 8.6A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 20V | |
| Serie | PMV16XN | |
| Tipo di package | SOT-23 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 33mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 13.4nC | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 12 V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 6.94W | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Lunghezza | 3mm | |
| Larghezza | 1.4 mm | |
| Altezza | 1mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Nexperia | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 8.6A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 20V | ||
Serie PMV16XN | ||
Tipo di package SOT-23 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 33mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 13.4nC | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 12 V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 6.94W | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Lunghezza 3mm | ||
Larghezza 1.4 mm | ||
Altezza 1mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- CN
Soluzioni di commutazione per i vostro progetti portatili. È possibile scegliere tra un'ampia gamma di MOSFET singoli e doppi a canale N fino a 20 V. Grande affidabilità grazie al nostro TrenchMOS consolidato e alla tecnologia dei contenitori. I nostri MOSFET a bassa tensione, facili da usare, sono progettati appositamente per soddisfare le esigenze di applicazioni portatili con tensioni di attivazione ridotte.
Transistor a effetto di campo (FET) in modalità potenziata a canale N in un piccolo contenitore in plastica a montaggio superficiale (SMD, Surface-Mounted Device) SOT23 (TO-236AB) che utilizza la tecnologia MOSFET Trench.
Tecnologia MOSFET Trench
Bassa tensione di soglia
Commutazione rapidissima
Maggiore capacità di dissipazione di potenza di 1200 mW
Applicazioni target
Driver LED
Gestione dell'alimentazione
Interruttore di carico low-side
Circuiti di commutazione
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