MOSFET Nexperia, canale Tipo N 30 V, 38 mΩ Miglioramento, 7.2 A, 3 Pin, SOT-23, Superficie

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Codice RS:
170-4865
Codice costruttore:
PMV20XNER
Costruttore:
Nexperia
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Marchio

Nexperia

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

7.2A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Serie

PMV20XNE

Tipo di package

SOT-23

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

38mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

12.4nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

12 V

Dissipazione di potenza massima Pd

6.94W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

3mm

Larghezza

1.4 mm

Altezza

1mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN
Robusta interfaccia tra i sistemi asincrono e sincrono. I flip-flop sono elementi di immagazzinamento di base per l’elettronica digitale. Solamente consentendo all'uscita di passare a una transizione su edge, i flip-flop forniscono un'interfaccia robusta tra i sistemi asincroni e sincroni. Con la possibilità di scegliere tra l’attivazione egde positivo o negativo, forniscono una maggiore flessibilità di progettazione.

Transistor a effetto di campo (FET) in modalità potenziata a canale N in un piccolo contenitore in plastica a montaggio superficiale (SMD, Surface-Mounted Device) SOT23 (TO-236AB) che utilizza la tecnologia MOSFET Trench.

Tecnologia MOSFET Trench

Bassa tensione di soglia

Maggiore capacità di dissipazione di potenza di 1200 mW

Protezione contro le scariche elettrostatiche (ESD): 2 kV HBM

Applicazioni target

Driver relè

Driver di linea ad alta velocità

Interruttore di carico low-side

Circuiti di commutazione

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