MOSFET Nexperia, canale Tipo P -20 V, 63 mΩ Miglioramento, -5.6 A, 3 Pin, SOT-23, Superficie

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Codice RS:
153-0707
Codice costruttore:
PMV27UPEAR
Costruttore:
Nexperia
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Marchio

Nexperia

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo P

Massima corrente di scarico continua Id

-5.6A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

-20V

Tipo di package

SOT-23

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

63mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

4.15W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

14.7nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

8 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

3mm

Altezza

1mm

Larghezza

1.4 mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

AEC-Q101

MOSFET a canale P. La soluzione perfetta per il proprio progetto quando i canali N semplicemente non sono idonei. La nostra ampia scelta di MOSFET include anche molte famiglie di dispositivi a canale P, basati su tecnologia Trench leader del settore firmata Nexperia. Con un valore nominale da 12 a 70 V e alloggiati in contenitori a bassa e media potenza, offrono la nostra nota combinazione di alta efficienza ed elevata affidabilità.

MOSFET Trench a canale P da 20 V. Transistor a effetto di campo (FET) in modalità potenziata a canale P in un piccolo contenitore in plastica SOT23 (TO-236AB) per dispositivi a montaggio superficiale (SMD) che impiega la tecnologia MOSFET Trench.

Tecnologia MOSFET Trench

Bassa tensione di soglia

Commutazione rapidissima

Maggiore capacità di dissipazione di potenza: Ptot = 980 mW

Protezione contro le scariche elettrostatiche (ESD): 2 kV HBM

Qualifica AEC-Q101

Driver LED

Gestione dell'alimentazione

Interruttore di carico high-side

Circuiti di commutazione

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