MOSFET Nexperia, canale P, 170 mΩ, 2,3 A, SOT-23, Montaggio superficiale

Codice RS:: 136-4786
Codice costruttore:: BSH205G2R
Costruttore:: Nexperia

MOSFET Nexperia, canale P, 170 mΩ, 2,3 A, SOT-23, Montaggio superficiale

12000 Disponibile per la consegna entro 1 giorni lavorativi, per ordini effettuati entro le 19:00 (magazzini in Europa/UK)

Prezzo per Unità (Su Bobina da 3000)

0,117 €

(IVA esclusa)

0,143 €

(IVA inclusa)

Unità	Per unità	Per Bobina*
3000 +	0,117 €	351,00 €
*prezzo indicativo

Codice RS:: 136-4786
Codice costruttore:: BSH205G2R
Costruttore:: Nexperia

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

MOSFET a canale P, Nexperia

Transistor MOSFET, NXP Semiconductors

Specifiche

Attributo	Valore
Tipo di canale	P
Corrente massima continuativa di drain	2,3 A
Tensione massima drain source	20 V
Tipo di package	SOT-23
Serie	BSH205G2
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	170 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	0.95V
Tensione di soglia gate minima	0.45V
Dissipazione di potenza massima	6,25 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-8 V, +8 V
Carica gate tipica @ Vgs	3,7 nC a -4,5 V
Numero di elementi per chip	1
Larghezza	1.4mm
Lunghezza	3mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Standard per uso automobilistico	AEC-Q101
Altezza	1mm
Minima temperatura operativa	-55 °C
Tensione diretta del diodo	1.2V

Codice RS:: 136-4786
Codice costruttore:: BSH205G2R
Costruttore:: Nexperia

MOSFET Nexperia, canale P, 170 mΩ, 2,3 A, SOT-23, Montaggio superficiale

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MOSFET a canale P, Nexperia

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MOSFET a canale P, Nexperia

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