MOSFET Nexperia, canale Tipo P 20 V, 170 mΩ Miglioramento, 2.3 A, 3 Pin, SOT-23, Superficie

Prezzo per 1 bobina da 3000 unità*

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Codice RS:
136-4786
Codice costruttore:
BSH205G2R
Costruttore:
Nexperia
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Marchio

Nexperia

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo P

Massima corrente di scarico continua Id

2.3A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

20V

Tipo di package

SOT-23

Serie

BSH205G2

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

170mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

3.7nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

6.25W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

8 V

Tensione diretta Vf

-1.2V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

1.4 mm

Altezza

1mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

3mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

MOSFET a canale P, Nexperia


Transistor MOSFET, NXP Semiconductors


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