MOSFET Infineon, canale Tipo P 30 V, 165 mΩ Miglioramento, 2.3 A, 3 Pin, SOT-23, Superficie IRLML9303TRPBF

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Codice RS:
725-9369
Codice costruttore:
IRLML9303TRPBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo P

Massima corrente di scarico continua Id

2.3A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Serie

HEXFET

Tipo di package

SOT-23

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

165mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

1.25W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

2nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Tensione diretta Vf

-1.2V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

3.04mm

Altezza

1.02mm

Larghezza

1.4 mm

Standard automobilistico

No

Distrelec Product Id

304-45-321

MOSFET di potenza a canale P da 30 V, Infineon


La gamma Infineon di MOSFET di potenza discreti HEXFET® comprende dispositivi a canale N con montaggio superficiale, terminazioni e fattori di forma adatti a quasi tutti i layout di scheda e alle sfide della progettazione termica. Il valore di riferimento della resistenza su tutta la gamma riduce le perdite di conduzione, consentendo ai progettisti di ottenere un rendimento ottimale del sistema.

Transistor MOSFET, Infineon


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