MOSFET Infineon, canale Tipo N 20 V, 82 mΩ Miglioramento, 2.3 A, 3 Pin, SOT-23, Superficie BSS806NEH6327XTSA1

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Codice RS:
165-5871
Codice costruttore:
BSS806NEH6327XTSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

2.3A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

20V

Serie

OptiMOS 2

Tipo di package

SOT-23

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

82mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

1.7nC

Tensione diretta Vf

0.82V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

8 V

Dissipazione di potenza massima Pd

500mW

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

2.9mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

1mm

Larghezza

1.3 mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Paese di origine:
CN

Famiglia di MOSFET di potenza Infineon OptiMOS™2


La famiglia a canale N OptiMOS™2 di Infineon offre la più bassa resistenza in stato attivo del settore all'interno del proprio gruppo di tensione. La serie di MOSFET di potenza può essere utilizzata in molte applicazioni, tra cui le telecomunicazioni, la trasmissione dati ad alta frequenza, solare, unità a bassa tensione e alimentatori server. La famiglia di prodotti OptiMOS 2 parte da 20 V e offre una selezione di diversi tipi di contenitori.

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