MOSFET Infineon, canale N 20 V, 82 mΩ Miglioramento, 2.3 A, 3 Pin, SOT-23, Superficie BSS806NEH6327XTSA1
- Codice RS:
- 165-5871
- Codice costruttore:
- BSS806NEH6327XTSA1
- Costruttore:
- Infineon
Prezzo per 1 bobina da 3000 unità*
204,00 €
(IVA esclusa)
249,00 €
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Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 3000 + | 0,068 € | 204,00 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 165-5871
- Codice costruttore:
- BSS806NEH6327XTSA1
- Costruttore:
- Infineon
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 2.3A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 20V | |
| Tipo di package | SOT-23 | |
| Serie | OptiMOS 2 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 82mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione diretta Vf | 820mV | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | -8V, +8V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 1.7nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 500mW | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Altezza | 1mm | |
| Lunghezza | 2.9mm | |
| Larghezza | 1.3mm | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 2.3A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 20V | ||
Tipo di package SOT-23 | ||
Serie OptiMOS 2 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 82mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione diretta Vf 820mV | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs -8V, +8V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 1.7nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 500mW | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Altezza 1mm | ||
Lunghezza 2.9mm | ||
Larghezza 1.3mm | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
- Paese di origine:
- CN
MOSFET Infineon OptiMOS serie 2, tensione massima della sorgente di drenaggio di 20 V, corrente di drenaggio continua massima di 2,3 A - BSS806NEH6327XTSA1
Caratteristiche e vantaggi:
• Il valore nominale drain-source di 20 V consente una commutazione a bassa tensione sicura
• La corrente continua di 2,3 A supporta correnti di carico moderate
• La carica gate di 1,7 nC consente transizioni gate-drive rapide
• La dissipazione di potenza di 500 mW limita lo stress termico in configurazioni ristrette
• Gate tollerato fino a 8 V per tensioni di azionamento flessibili
Applicazioni
• Ideale per convertitori CC-CC in assemblaggi compatti
• Utilizzato con uscite microcontroller per la commutazione a bassa tensione
• Può essere utilizzato per la commutazione del carico nell'elettronica automobilistica
• Utilizzato per il controllo della potenza a livello di segnale in sistemi integrati
Che tipo di contenitore e tipo di montaggio utilizza?
Quali condizioni di temperatura può sopportare durante il funzionamento?
Quanti pin sono disponibili e qual è il tipo di canale?
Qual è la caratteristica tipica del diodo in avanti/sfuso?
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