MOSFET onsemi, canale N, 273 mΩ, 2,3 A, SOT-23, Montaggio superficiale

Codice RS:: 864-8026
Codice costruttore:: FDC86244
Costruttore:: onsemi

MOSFET onsemi, canale N, 273 mΩ, 2,3 A, SOT-23, Montaggio superficiale

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Codice RS:: 864-8026
Codice costruttore:: FDC86244
Costruttore:: onsemi

FDC86244, N-Channel Shielded Gate PowerTrench MOSFET 150V, 2.3A, 144mOhm
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	2,3 A
Tensione massima drain source	150 V
Serie	PowerTrench
Tipo di package	SOT-23
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	6
Resistenza massima drain source	273 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate minima	2V
Dissipazione di potenza massima	1,6 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Materiale del transistor	Si
Carica gate tipica @ Vgs	4,2 nC a 10 V
Lunghezza	3mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Numero di elementi per chip	1
Larghezza	1.7mm
Altezza	1mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET onsemi, canale N, 273 mΩ, 2,3 A, SOT-23, Montaggio superficiale

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MOSFET a canale N PowerTrench® fino a 9,9A, Fairchild Semiconductor

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