2 MOSFET onsemi Tipo isolato, canale Tipo P, 115 mΩ, 2.3 A 20 V, SOT-23, Superficie Miglioramento, 6 Pin FDC6312P

Visualizza MOSFET
Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 confezione da 5 unità*

4,36 €

(IVA esclusa)

5,32 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • Più 14.555 unità in spedizione dal 29 dicembre 2025
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per confezione*
5 - 450,872 €4,36 €
50 - 950,752 €3,76 €
100 - 4950,65 €3,25 €
500 - 9950,572 €2,86 €
1000 +0,52 €2,60 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
671-0340
Codice costruttore:
FDC6312P
Costruttore:
onsemi
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

onsemi

Tipo di canale

Tipo P

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

2.3A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

20V

Serie

PowerTrench

Tipo di package

SOT-23

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

6

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

115mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

4.4nC

Dissipazione di potenza massima Pd

960mW

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

8 V

Tensione diretta Vf

-0.7V

Minima temperatura operativa

-55°C

Configurazione transistor

Tipo isolato

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Altezza

1mm

Lunghezza

3mm

Larghezza

1.7 mm

Numero elementi per chip

2

Standard automobilistico

No

MOSFET doppio a canale P PowerTrench®, Fairchild Semiconductor


I MOSFET PowerTrench® sono interruttori di potenza ottimizzati che consentono di aumentare l'efficienza e la densità di potenza del sistema. Tali dispositivi combinano una bassa carica di gate (Qg), una bassa carica di recupero inverso (Qrr) e un diodo integrato a recupero inverso graduale, che contribuisce a una rapida commutazione del raddrizzamento sincrono in alimentatori c.a./c.c..

I più recenti MOSFET PowerTrench® adottano la struttura a gate schermato che offre il bilanciamento della carica. Grazie a questa avanzata tecnologia, il FOM (fattore di merito) di questi dispositivi è notevolmente inferiore rispetto a quello della generazione precedente.

Le prestazioni soft del diodo integrato del MOSFET PowerTrench® sono in grado di eliminare il circuito di protezione o di sostituire un MOSFET con una tensione nominale maggiore.

Transistor MOSFET, ON Semi


Su Semi offre una gamma sostanziale di dispositivi MOSFET che includono>< i tipi ad alta tensione ( 250V) e a bassa tensione ( 250V). L'avanzata tecnologia al silicio garantisce uno stampo dalle dimensioni ridotte, incorporato in diversi contenitori di standard industriale e termicamente potenziati.

Sui semi-MOSFET è possibile ottenere un'affidabilità di progettazione superiore, da picchi di tensione ridotti e sovraelongazione, a una capacità di giunzione inferiore e una carica di recupero inversa, fino all'eliminazione di componenti esterni aggiuntivi per mantenere i sistemi operativi più a lungo.

Link consigliati