MOSFET onsemi, canale Tipo N 20 V, 115 mΩ Miglioramento, 2.8 A, 3 Pin, SOT-23, Superficie

Prezzo per 1 bobina da 3000 unità*

225,00 €

(IVA esclusa)

276,00 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Temporaneamente esaurito
  • Spedizione a partire dal 11 maggio 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per bobina*
3000 +0,075 €225,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
163-2192
Codice costruttore:
MGSF2N02ELT1G
Costruttore:
onsemi
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

onsemi

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

2.8A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

20V

Serie

MGSF2

Tipo di package

SOT-23

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

115mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

0.6nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

1.25W

Tensione diretta Vf

1.5V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

8 V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Altezza

1.01mm

Larghezza

1.4 mm

Lunghezza

3.04mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN

MOSFET di potenza a canale N, 20 V, ON Semiconductor


Transistor MOSFET, ON Semiconductor


Link consigliati