MOSFET onsemi, canale N, 115 mΩ, 2,8 A, SOT-23, Montaggio superficiale

Codice RS:: 163-2192
Codice costruttore:: MGSF2N02ELT1G
Costruttore:: onsemi

MOSFET onsemi, canale N, 115 mΩ, 2,8 A, SOT-23, Montaggio superficiale

Prezzo per 1 bobina da 3000 unità**

285,00 €

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Unità	Per unità	Per bobina**
3000 +	0,095 €	285,00 €

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Confronta

Codice RS:: 163-2192
Codice costruttore:: MGSF2N02ELT1G
Costruttore:: onsemi

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	2,8 A
Tensione massima drain source	20 V
Tipo di package	SOT-23
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	115 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	1V
Dissipazione di potenza massima	1,25 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-8 V, +8 V
Carica gate tipica @ Vgs	0,6 nC a 4 V
Massima temperatura operativa	+150 °C
Larghezza	1.4mm
Materiale del transistor	Si
Lunghezza	3.04mm
Numero di elementi per chip	1
Altezza	1.01mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET onsemi, canale N, 115 mΩ, 2,8 A, SOT-23, Montaggio superficiale

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MOSFET di potenza a canale N, 20 V, ON Semiconductor

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