MOSFET onsemi, canale N 60 V, 7.5 Ω Miglioramento, 115 mA, 3 Pin, SOT-23, Superficie 2N7002LT1G

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
545-0012
Codice costruttore:
2N7002LT1G
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

115mA

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Serie

2N7002L

Tipo di package

SOT-23

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

7.5Ω

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

160nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

300mW

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

-20V, +20V

Tensione diretta Vf

1.2V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

940μm

Lunghezza

2.9mm

Larghezza

1.3mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

MOSFET di potenza a canale N, 60V, ON Semiconductor


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