MOSFET singoli Microchip, canale Tipo N 60 V, 7.5 Ω Miglioramento, 115 mA, 3 Pin, SOT-23, Superficie 2N7002-G

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
644-261
Codice costruttore:
2N7002-G
Costruttore:
Microchip
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Marchio

Microchip

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET singoli

Massima corrente di scarico continua Id

115mA

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

SOT-23

Serie

2N7002

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

7.5Ω

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

30nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.2V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

±30 V

Dissipazione di potenza massima Pd

0.36W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

2.9mm

Standard/Approvazioni

Lead (Pb)-free/RoHS

Larghezza

1.3 mm

Altezza

1.12mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
TH
Il N-Channel di Microchip è un transistor a soglia bassa, in modalità di potenziamento (normalmente disattivato) che utilizza una struttura DMOS verticale e un processo di produzione con gate in silicio ampiamente collaudato. Questa combinazione produce un dispositivo con le capacità di gestione della potenza dei transistor bipolari e l'elevata impedenza di ingresso e il coefficiente di temperatura positivo propri dei dispositivi MOS. Caratteristica distintiva di tutte le strutture MOS, questo dispositivo è esente da runaway termico e da breakdown secondario indotto termicamente.

Esente da breakdown secondario

Basso consumo energetico per l'azionamento

Facilità di parallelismo

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