MOSFET singoli Microchip, canale N 60 V, 7.5 Ω Miglioramento, 115 mA, 3 Pin, SOT-23, Superficie 2N7002-G
- Codice RS:
- 644-261
- Codice costruttore:
- 2N7002-G
- Costruttore:
- Microchip
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Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Microchip | |
| Tipo prodotto | MOSFET singoli | |
| Tipo di canale | N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 115mA | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 60V | |
| Tipo di package | SOT-23 | |
| Serie | 2N7002 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 7.5Ω | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 30nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 0.36W | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 30V | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Lunghezza | 2.9mm | |
| Altezza | 1.12mm | |
| Standard/Approvazioni | Lead (Pb)-free/RoHS | |
| Larghezza | 1.3mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Microchip | ||
Tipo prodotto MOSFET singoli | ||
Tipo di canale N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 115mA | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 60V | ||
Tipo di package SOT-23 | ||
Serie 2N7002 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 7.5Ω | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 30nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 0.36W | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 30V | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Lunghezza 2.9mm | ||
Altezza 1.12mm | ||
Standard/Approvazioni Lead (Pb)-free/RoHS | ||
Larghezza 1.3mm | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- TH
Il N-Channel di Microchip è un transistor a soglia bassa, in modalità di potenziamento (normalmente disattivato) che utilizza una struttura DMOS verticale e un processo di produzione con gate in silicio ampiamente collaudato. Questa combinazione produce un dispositivo con le capacità di gestione della potenza dei transistor bipolari e l'elevata impedenza di ingresso e il coefficiente di temperatura positivo propri dei dispositivi MOS. Caratteristica distintiva di tutte le strutture MOS, questo dispositivo è esente da runaway termico e da breakdown secondario indotto termicamente.
Esente da breakdown secondario
Basso consumo energetico per l'azionamento
Facilità di parallelismo
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