MOSFET DiodesZetex, canale N, 4 Ω, 300 mA, SOT-23, Montaggio superficiale

Codice RS:: 822-8641
Codice costruttore:: 2N7002E-7-F
Costruttore:: DiodesZetex

MOSFET DiodesZetex, canale N, 4 Ω, 300 mA, SOT-23, Montaggio superficiale

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Codice RS:: 822-8641
Codice costruttore:: 2N7002E-7-F
Costruttore:: DiodesZetex

N-Channel Enhancement Mode Mosfet Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	300 mA
Tensione massima drain source	60 V
Tipo di package	SOT-23
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	4 Ω
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	2.5V
Dissipazione di potenza massima	540 mW
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-40 V, +40 V
Materiale del transistor	Si
Numero di elementi per chip	1
Larghezza	1.4mm
Carica gate tipica @ Vgs	0,223 nC a 4,5 V
Lunghezza	3mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	1.1mm

MOSFET DiodesZetex, canale N, 4 Ω, 300 mA, SOT-23, Montaggio superficiale

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MOSFET a canale N, da 40 V a 90 V, Diodes Inc

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