MOSFET DiodesZetex, canale N, 13,5 Ω, 115 mA, SOT-23, Montaggio superficiale

Codice RS:: 122-0588
Codice costruttore:: 2N7002-7-F
Costruttore:: DiodesZetex

MOSFET DiodesZetex, canale N, 13,5 Ω, 115 mA, SOT-23, Montaggio superficiale

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Unità	Per unità	Per bobina**
3000 - 3000	0,024 €	72,00 €
6000 - 12000	0,023 €	69,00 €
15000 - 27000	0,022 €	66,00 €
30000 +	0,02 €	60,00 €

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Codice RS:: 122-0588
Codice costruttore:: 2N7002-7-F
Costruttore:: DiodesZetex

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	115 mA
Tensione massima drain source	60 V
Tipo di package	SOT-23
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	13,5 Ω
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	2.5V
Dissipazione di potenza massima	300 mW
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Massima temperatura operativa	+150 °C
Lunghezza	3mm
Larghezza	1.4mm
Numero di elementi per chip	1
Materiale del transistor	Si
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	1.1mm

MOSFET DiodesZetex, canale N, 13,5 Ω, 115 mA, SOT-23, Montaggio superficiale

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MOSFET a canale N, da 40 V a 90 V, Diodes Inc

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