MOSFET onsemi, canale N 20 V, 115 mΩ Miglioramento, 2.8 A, 3 Pin, SOT-23, Superficie MGSF2N02ELT1G

Visualizza MOSFET
Sconto per quantità disponibile
Visualizza le opzioni di prezzo per quantità

Prezzo per 1 confezione da 20 unità*

11,52 €

(IVA esclusa)

14,06 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • 60 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
  • Più 3000 unità in spedizione dal 04 agosto 2027
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".

Unità
Per unità
Per confezione*
20 - 1800,576 €11,52 €
200 - 4800,497 €9,94 €
500 - 9800,431 €8,62 €
1000 - 19800,379 €7,58 €
2000 +0,345 €6,90 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
792-5675
Codice costruttore:
MGSF2N02ELT1G
Costruttore:
onsemi
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

onsemi

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

2.8A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

20V

Tipo di package

SOT-23

Serie

MGSF2

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

115mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

-8V, +8V

Dissipazione di potenza massima Pd

1.25W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

0.6nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.5V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

3.04mm

Larghezza

1.4mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

1.01mm

Standard automobilistico

No

MOSFET di potenza a canale N, 20 V, ON Semiconductor


Transistor MOSFET, ON Semiconductor


Link consigliati

Rimani aggiornato sulle novità di prodotto e sulle nostre offerte!

Indirizzo email

I dati personali forniti saranno trattati in linea con la nostra Politica sulla Privacy.