MOSFET onsemi, canale N, 115 mΩ, 2,8 A, SOT-23, Montaggio superficiale

Codice RS:: 792-5675
Codice costruttore:: MGSF2N02ELT1G
Costruttore:: onsemi

MOSFET onsemi, canale N, 115 mΩ, 2,8 A, SOT-23, Montaggio superficiale

Prezzo per 1pz in confezione da 20**

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Unità	Per unità	Per confezione**
20 - 180	0,273 €	5,46 €
200 - 480	0,235 €	4,70 €
500 - 980	0,204 €	4,08 €
1000 - 1980	0,179 €	3,58 €
2000 +	0,163 €	3,26 €

**prezzo indicativo

Codice RS:: 792-5675
Codice costruttore:: MGSF2N02ELT1G
Costruttore:: onsemi

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	2,8 A
Tensione massima drain source	20 V
Tipo di package	SOT-23
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	115 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	1V
Dissipazione di potenza massima	1,25 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-8 V, +8 V
Larghezza	1.4mm
Numero di elementi per chip	1
Materiale del transistor	Si
Carica gate tipica @ Vgs	0,6 nC a 4 V
Lunghezza	3.04mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Altezza	1.01mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET onsemi, canale N, 115 mΩ, 2,8 A, SOT-23, Montaggio superficiale

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MOSFET di potenza a canale N, 20 V, ON Semiconductor

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