MOSFET Infineon, canale Tipo N 20 V, 82 mΩ Miglioramento, 2.3 A, 3 Pin, SOT-23, Superficie

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Codice RS:
827-0109
Codice costruttore:
BSS806NEH6327XTSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

2.3A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

20V

Tipo di package

SOT-23

Serie

OptiMOS 2

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

82mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

8 V

Dissipazione di potenza massima Pd

500mW

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

1.7nC

Tensione diretta Vf

0.82V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

2.9mm

Altezza

1mm

Larghezza

1.3 mm

Distrelec Product Id

304-44-429

Standard automobilistico

AEC-Q101

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