MOSFET Infineon, canale Tipo N 20 V, 82 mΩ Miglioramento, 2.3 A, 3 Pin, SOT-23, Superficie

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Codice RS:
827-0109
Codice Distrelec:
304-44-429
Codice costruttore:
BSS806NEH6327XTSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

2.3A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

20V

Tipo di package

SOT-23

Serie

OptiMOS 2

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

82mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

1.7nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

500mW

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

8 V

Tensione diretta Vf

0.82V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Altezza

1mm

Larghezza

1.3 mm

Lunghezza

2.9mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Famiglia di MOSFET di potenza Infineon OptiMOS™2


La famiglia a canale N OptiMOS™2 di Infineon offre la più bassa resistenza in stato attivo del settore all'interno del proprio gruppo di tensione. La serie di MOSFET di potenza può essere utilizzata in molte applicazioni, tra cui le telecomunicazioni, la trasmissione dati ad alta frequenza, solare, unità a bassa tensione e alimentatori server. La famiglia di prodotti OptiMOS 2 parte da 20 V e offre una selezione di diversi tipi di contenitori.

Transistor MOSFET, Infineon


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