MOSFET Infineon, canale Tipo N 20 V, 82 mΩ Miglioramento, 2.3 A, 3 Pin, SOT-23, Superficie

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Codice RS:
827-0096
Codice costruttore:
BSS806NH6327XTSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

2.3A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

20V

Serie

OptiMOS 2

Tipo di package

SOT-23

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

82mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

8 V

Dissipazione di potenza massima Pd

500mW

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

1.7nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

0.82V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

2.9mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

1mm

Larghezza

1.3 mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

MOSFET Infineon OptiMOS™ serie 2, corrente di drenaggio continua massima di 2,3 A, dissipazione di potenza massima di 500 mW - BSS806NH6327XTSA1


Questo MOSFET è stato progettato per una gestione efficiente dell'alimentazione in varie applicazioni elettroniche, supportando una corrente di drenaggio continua massima di 2,3A e una tensione massima della sorgente di drenaggio di 20V. Le sue caratteristiche di bassa resistenza contribuiscono a ridurre al minimo le perdite di energia, rendendolo adatto alle applicazioni che richiedono un elevato livello di affidabilità in condizioni rigorose.

Caratteristiche e vantaggi


• La configurazione a canale N migliora le prestazioni di commutazione

• La modalità di potenziamento riduce le perdite fuori dallo stato

• Compatibilità con i livelli logici estremi, adatta alle applicazioni a 1,8 V

• La valutazione integrata delle valanghe migliora la robustezza sotto sforzo

• La qualifica AEC-Q101 per le applicazioni automobilistiche garantisce prestazioni di lunga durata

• Il design a montaggio superficiale consente una facile integrazione in circuiti compatti

Applicazioni


• Ideale per la gestione dell'alimentazione nell'elettronica automobilistica

• Utilizzato per l'azionamento di carichi a bassa tensione nei sistemi di automazione

• Adatto per la commutazione negli alimentatori

• Progettato per ambienti operativi ad alta temperatura

Può essere utilizzato in applicazioni automobilistiche?


Sì, è qualificato AEC-Q101, che ne garantisce l'idoneità agli ambienti automobilistici.

Qual è l'intervallo di temperatura di esercizio?


L'intervallo di temperatura operativa è compreso tra -55°C e +150°C.

Qual è l'impatto del valore RDS(on) sulle prestazioni del circuito?


Un basso valore di RDS(on) riduce la perdita di potenza durante il funzionamento, migliorando l'efficienza complessiva.

Qual è il significato della tensione di soglia del gate?


La tensione di soglia del gate indica il momento in cui il MOSFET inizia a condurre, il che è fondamentale per controllare la temporizzazione dell'interruttore.

Famiglia di MOSFET di potenza Infineon OptiMOS™2


La famiglia a canale N OptiMOS™2 di Infineon offre la più bassa resistenza in stato attivo del settore all'interno del proprio gruppo di tensione. La serie di MOSFET di potenza può essere utilizzata in molte applicazioni, tra cui le telecomunicazioni, la trasmissione dati ad alta frequenza, solare, unità a bassa tensione e alimentatori server. La famiglia di prodotti OptiMOS 2 parte da 20 V e offre una selezione di diversi tipi di contenitori.

Transistor MOSFET, Infineon


Infineon offre un'ampia gamma completa di dispositivi MOSFET che include le famiglie CoolMOS, OptiMOS e StrongIRFET. Offrono le migliori prestazioni della categoria per garantire più efficienza, densità di potenza e rapporto qualità-prezzo. I progetti che richiedono alta qualità e caratteristiche di protezione elevate traggono vantaggio dai MOSFET qualificati per gli standard del settore automobilistico AEC-Q101.

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