MOSFET Nexperia, canale P, 170 mΩ, 2,3 A, SOT-23, Montaggio superficiale

Codice RS:: 136-4849
Codice costruttore:: BSH205G2R
Costruttore:: Nexperia

MOSFET Nexperia, canale P, 170 mΩ, 2,3 A, SOT-23, Montaggio superficiale

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Codice RS:: 136-4849
Codice costruttore:: BSH205G2R
Costruttore:: Nexperia

BSH205G2, 20V, P-channel Trench MOSFET
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	P
Corrente massima continuativa di drain	2,3 A
Tensione massima drain source	20 V
Tipo di package	SOT-23
Serie	BSH205G2
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	170 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	0.95V
Tensione di soglia gate minima	0.45V
Dissipazione di potenza massima	6,25 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-8 V, +8 V
Lunghezza	3mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Carica gate tipica @ Vgs	3,7 nC a -4,5 V
Larghezza	1.4mm
Numero di elementi per chip	1
Tensione diretta del diodo	1.2V
Standard per uso automobilistico	AEC-Q101
Altezza	1mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET Nexperia, canale P, 170 mΩ, 2,3 A, SOT-23, Montaggio superficiale

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MOSFET a canale P, Nexperia

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