MOSFET Nexperia, canale Tipo P 20 V, 170 mΩ Miglioramento, 2.3 A, 3 Pin, SOT-23, Superficie BSH205G2R

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
136-4849
Codice costruttore:
BSH205G2R
Costruttore:
Nexperia
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Marchio

Nexperia

Tipo di canale

Tipo P

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

2.3A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

20V

Serie

BSH205G2

Tipo di package

SOT-23

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

170mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

-1.2V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

3.7nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

8 V

Dissipazione di potenza massima Pd

6.25W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

1.4 mm

Lunghezza

3mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

1mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

MOSFET a canale P, Nexperia


Transistor MOSFET, NXP Semiconductors


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