MOSFET Infineon, canale P, 165 mΩ, 3 A, SOT-23, Montaggio superficiale

Codice RS:: 784-0325
Codice costruttore:: IRLML5203TRPBF
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale P, 165 mΩ, 3 A, SOT-23, Montaggio superficiale

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Codice RS:: 784-0325
Codice costruttore:: IRLML5203TRPBF
Costruttore:: Infineon

IRLML5203PbF HEXFET Power MOSFET Data sheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	P
Corrente massima continuativa di drain	3 A
Tensione massima drain source	30 V
Tipo di package	SOT-23
Serie	HEXFET
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	165 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	2.5V
Tensione di soglia gate minima	1V
Dissipazione di potenza massima	1,25 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Materiale del transistor	Si
Carica gate tipica @ Vgs	9,5 nC a 10 V
Lunghezza	3.04mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Numero di elementi per chip	1
Larghezza	1.4mm
Altezza	1.02mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET Infineon, canale P, 165 mΩ, 3 A, SOT-23, Montaggio superficiale

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MOSFET di potenza a canale P da 30 V, Infineon

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