MOSFET Infineon, canale Tipo P 30 V, 165 mΩ Miglioramento, 3 A, 3 Pin, SOT-23, Superficie IRLML5203TRPBF

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
784-0325
Codice costruttore:
IRLML5203TRPBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo P

Massima corrente di scarico continua Id

3A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Tipo di package

SOT-23

Serie

HEXFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

165mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

1.25W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

9.5nC

Tensione diretta Vf

-1.2V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

3.04mm

Larghezza

1.4 mm

Altezza

1.02mm

Standard automobilistico

No

MOSFET della serie HEXFET di Infineon, corrente continua massima di drenaggio di 3 A, tensione massima di alimentazione di drenaggio di 30 V - IRLML5203TRPBF


Questo MOSFET è un dispositivo di potenza ad alte prestazioni adatto a una serie di applicazioni nel settore dell'elettronica. Caratterizzato da un package compatto SOT-23, questo dispositivo a canale P offre un'efficienza significativa con una corrente di drain continua massima di 3A e una tensione drain-source di 30V. Con dimensioni di 3,04 mm di lunghezza, 1,4 mm di larghezza e 1,02 mm di altezza, è adatto a progetti con limiti di spazio.

Caratteristiche e vantaggi


• Tensione di drain-source di 30 V per un uso versatile

• Progettato per il montaggio in superficie per semplificare la progettazione dei PCB

• Funziona in un intervallo di temperatura compreso tra -55°C e +150°C

• Utilizza la modalità di potenziamento per prestazioni di commutazione affidabili

Applicazioni


• Utilizzato nei sistemi di gestione delle batterie per ottenere prestazioni ottimali

• Utilizzato nell'elettronica portatile grazie al design a basso profilo

• Applicato in soluzioni di gestione del carico su vari dispositivi

• Adatto a sistemi di controllo dell'automazione avanzati

Qual è il significato della bassa Rds(on) in questo dispositivo?


La bassa Rds(on) garantisce una ridotta perdita di potenza durante il funzionamento, migliorando l'efficienza complessiva e mantenendo bassi i livelli termici nelle applicazioni.

In che modo la capacità di dissipazione di potenza influisce sulle prestazioni del dispositivo?


La capacità di dissipare fino a 1,25 W consente una gestione efficace del calore, assicurando il funzionamento affidabile del dispositivo anche in condizioni di carico massimo senza guasti termici.

Quali fattori influenzano la scelta di questo MOSFET per un'applicazione specifica?


Per garantire la compatibilità con i requisiti del circuito e le prestazioni attese, è necessario considerare fattori quali la corrente di drenaggio massima continua, la tensione nominale e le caratteristiche termiche.

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