MOSFET Infineon, canale Tipo P 60 V, 3 Ω Miglioramento, 330 mA, 3 Pin, SOT-23, Superficie

Visualizza MOSFET
Sconto per quantità disponibile
Visualizza le opzioni di prezzo per quantità

Prezzo per 1 bobina da 3000 unità*

165,00 €

(IVA esclusa)

201,00 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • 33.000 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".

Unità
Per unità
Per bobina*
3000 - 30000,055 €165,00 €
6000 - 120000,052 €156,00 €
15000 +0,049 €147,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
145-8801
Codice costruttore:
BSS83PH6327XTSA1
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo P

Massima corrente di scarico continua Id

330mA

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

SOT-23

Serie

SIPMOS

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

3Ω

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

2.38nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

-1.1V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

-20V, +20V

Dissipazione di potenza massima Pd

360mW

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

1mm

Larghezza

1.3mm

Lunghezza

2.9mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

AEC-Q101

MOSFET Infineon serie SIPMOS, tensione massima della sorgente di drenaggio 60 V, resistenza massima della sorgente di drenaggio 3 Ω - BSS83PH6327XTSA1


Questo MOSFET a canale p è un transistor di commutazione a montaggio superficiale progettato per ruoli compatti di controllo della potenza in assemblaggi elettronici. Funziona come un dispositivo in modalità di potenziamento adatto per la commutazione a bassa corrente in sistemi che richiedono un'ampia gamma di temperature d'esercizio e compatibilità con i requisiti di livello automobilistico.

Caratteristiche e vantaggi:


• Il valore nominale drain-source di 60 V consente applicazioni di commutazione a tensione più elevata
• Rds massimo di 3 Ω riduce le perdite di conduzione durante lo stato attivo
• La corrente di drenaggio continua di 330 mA supporta la commutazione a piccolo segnale
• La carica di gate tipica di 2,38 nC consente transizioni di gate più veloci
• La tensione massima gate-sorgente di 20 V consente livelli di azionamento gate flessibili
• La qualifica AEC-Q101 garantisce l'idoneità per l'elettronica automobilistica

Applicazioni


• Adatto per circuiti di gestione della batteria e di scollegamento del carico
• Ideale per la commutazione del segnale nelle interfacce dei sensori automobilistici
• Utilizzato con regolatori a bassa potenza e stadi di commutazione della guida di alimentazione
• Può essere utilizzato per la protezione contro l'inversione di polarità in dispositivi compatti
• Adatto per prototipi a montaggio superficiale e layout di circuiti stampati densi

Quali estremi termici può tollerare il dispositivo nell'uso reale?


È specificato per funzionare da -55 °C fino a 150 °C, consentendo l'uso in ambienti con avviamento a freddo e ad alta temperatura senza ridurre la funzionalità di base.

In che modo il contenitore influisce sull'assemblaggio e sul layout a livello di scheda?


Il pacchetto a montaggio superficiale SOT-23 è compatto e adatto per il posizionamento automatizzato, consentendo una distanza ridotta tra i componenti e una conduzione termica semplificata al circuito stampato.

Quale dissipazione di potenza devono aspettarsi i progettisti in condizioni normali?


Il dispositivo ha una dissipazione di potenza massima di 360 mW, che deve essere presa in considerazione nei calcoli termici e nella progettazione del pad termico per evitare il surriscaldamento.

In che modo la carica di gate del componente influisce sulle prestazioni di commutazione?


Una carica gate tipica di 2,38 nC riduce al minimo l'energia necessaria per l'azionamento del gate, migliorando la velocità di commutazione e riducendo la corrente del driver per applicazioni a bassa frequenza o a impulsi.

Link consigliati

Rimani aggiornato sulle novità di prodotto e sulle nostre offerte!

Indirizzo email

I dati personali forniti saranno trattati in linea con la nostra Politica sulla Privacy.