MOSFET Infineon, canale Tipo P -30 V, 270 mΩ Miglioramento, 1.50 A, 3 Pin, SOT-23, Superficie

Codice RS:: 250-0557
Codice costruttore:: BSS315PH6327XTSA1
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale Tipo P -30 V, 270 mΩ Miglioramento, 1.50 A, 3 Pin, SOT-23, Superficie

Prezzo per 1 bobina da 3000 unità*

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Codice RS:: 250-0557
Codice costruttore:: BSS315PH6327XTSA1
Costruttore:: Infineon

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Infineon
	Tipo di canale	Tipo P
	Tipo prodotto	MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id	1.50A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	-30V
	Tipo di package	SOT-23
	Serie	BSS
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	270mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	80nC
	Tensione diretta Vf	1V
	Dissipazione di potenza massima Pd	81W
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	20V
	Temperatura massima di funzionamento	+150°C
	Standard/Approvazioni	RoHS
	Standard automobilistico	AEC-Q101

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	Marchio Infineon
	Tipo di canale Tipo P
	Tipo prodotto MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id 1.50A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds -30V
	Tipo di package SOT-23
	Serie BSS
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 270mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 80nC
	Tensione diretta Vf 1V
	Dissipazione di potenza massima Pd 81W
	Minima temperatura operativa -55°C
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V
	Temperatura massima di funzionamento +150°C
	Standard/Approvazioni RoHS
	Standard automobilistico AEC-Q101

Datasheet - BSS315PH6327XTSA1

MOSFET Infineon serie BSS, tensione massima drain-source 30 V, dissipazione di potenza 81 W - BSS315PH6327XTSA1

Questo transistor a canale P è progettato per compatte attività di commutazione e controllo del carico a montaggio superficiale in ambienti che richiedono un'ampia tolleranza alla temperatura e una qualifica di livello automobilistico. Funziona come un dispositivo in modalità di potenziamento confezionato in SOT-23 per l'assemblaggio su circuito stampato ed è adatto per circuiti in cui è richiesta una corrente di drenaggio continua moderata e un gate drive definito.

Caratteristiche e vantaggi:

• La bassa resistenza di accensione di 270 mΩ riduce le perdite di conduzione
• La corrente di drenaggio continua di 1,50 A supporta carichi costanti
• Prestazioni gate-threshold con carica tipica di 80 nC per una commutazione prevedibile
• Resiste a tensioni di gate fino a 20 V per opzioni di azionamento flessibili
• Progettato per dissipare 81 W per gestire gli eventi di potenza transitoria

Applicazioni

• Utilizzato per la commutazione della protezione della batteria nell'elettronica automobilistica
• Adatto per moduli di gestione dell'alimentazione CC di piccole dimensioni
• Ideale per la commutazione del carico a montaggio superficiale su circuiti stampati compatti
• Può essere utilizzato per funzioni di commutazione a polarità inversa o high-side

Entro quale intervallo di temperatura può operare?

Funziona in un intervallo operativo da -55 °C a +150 °C.

Che tipo di contenitore e tipo di montaggio utilizza?

È fornito in un contenitore SOT-23 progettato per il montaggio superficiale.

Quali standard o approvazioni soddisfa per le sostanze soggette a restrizioni?

È conforme ai requisiti RoHS.

Qual è la tensione massima che può bloccare tra il drenaggio e la sorgente?

La tensione nominale massima drain-source è di -30 V.

È adatto per i livelli di qualificazione automobilistica?

È conforme allo standard automobilistico AEC‐Q101.