MOSFET onsemi, canale P, 150 mΩ, 3,5 A, SOT-23, Montaggio superficiale

Codice RS:: 124-5410
Codice costruttore:: NTR4171PT1G
Costruttore:: onsemi

MOSFET onsemi, canale P, 150 mΩ, 3,5 A, SOT-23, Montaggio superficiale

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Prezzo per Unità (Su Bobina da 3000)

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Unità	Per unità	Per bobina**
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Codice RS:: 124-5410
Codice costruttore:: NTR4171PT1G
Costruttore:: onsemi

NTR4171P, Power MOSFET −30V, −3.5A, Single P−Channel, SOT−23 Data Sheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	P
Corrente massima continuativa di drain	3,5 A
Tensione massima drain source	30 V
Tipo di package	SOT-23
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	150 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	1.4V
Dissipazione di potenza massima	1,25 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-12 V, +12 V
Numero di elementi per chip	1
Larghezza	1.4mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Carica gate tipica @ Vgs	15,6 nC a 10 V, 7,4 nC a 4,5 V
Lunghezza	3.04mm
Materiale del transistor	Si
Altezza	1.01mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET onsemi, canale P, 150 mΩ, 3,5 A, SOT-23, Montaggio superficiale

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MOSFET a canale P da 30 V a 500 V, ON Semiconductor

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