MOSFET onsemi, canale Tipo N 50 V, 3.5 Ω Miglioramento, 220 mA, 3 Pin, SOT-23, Superficie BSS138

Visualizza MOSFET
Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 confezione da 10 unità*

1,45 €

(IVA esclusa)

1,77 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Pochi pezzi in magazzino
  • 690 unità rimaste, pronte per la spedizione
  • Più 2380 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Le nostre scorte attuali sono limitate e i nostri fornitori prevedono difficoltà di approvvigionamento.
Unità
Per unità
Per confezione*
10 - 900,145 €1,45 €
100 - 2400,125 €1,25 €
250 - 4900,108 €1,08 €
500 - 9900,095 €0,95 €
1000 +0,086 €0,86 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
671-0324
Codice costruttore:
BSS138
Costruttore:
onsemi
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

onsemi

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

220mA

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

50V

Serie

BSS138

Tipo di package

SOT-23

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

3.5Ω

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

1.7nC

Tensione diretta Vf

0.8V

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

360mW

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

2.92mm

Altezza

0.93mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

1.3 mm

Standard automobilistico

AEC-Q101, AEC-Q200, AEC-Q100

MOSFET a canale N in modalità potenziata, Fairchild Semiconductor


I transistor a effetto di campo in modalità potenziata (FET) vengono prodotti utilizzando la tecnologia DMOS a elevata densità cellulare brevettata da Fairchild. Questo processo ad alta densità è stato ideato per ridurre al minimo la resistenza in stato attivo e garantisce prestazioni solide e affidabili nonché una commutazione rapida.

Transistor MOSFET, ON Semi


Su Semi offre una gamma sostanziale di dispositivi MOSFET che includono>< i tipi ad alta tensione ( 250V) e a bassa tensione ( 250V). L'avanzata tecnologia al silicio garantisce uno stampo dalle dimensioni ridotte, incorporato in diversi contenitori di standard industriale e termicamente potenziati.

Sui semi-MOSFET è possibile ottenere un'affidabilità di progettazione superiore, da picchi di tensione ridotti e sovraelongazione, a una capacità di giunzione inferiore e una carica di recupero inversa, fino all'eliminazione di componenti esterni aggiuntivi per mantenere i sistemi operativi più a lungo.

Link consigliati