MOSFET onsemi, canale N 50 V, 6 Ω, 220 mA, 3 Pin, SOT-23-3, Montaggio superficiale BSS138-G

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
838-663
Codice costruttore:
BSS138-G
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

220mA

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

50V

Tipo di package

SOT-23-3

Serie

BSS

Tipo montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

6Ω

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

2.4nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

0.36W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Tensione diretta Vf

1.4V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

2.9mm

Altezza

1mm

Larghezza

1.3mm

Standard automobilistico

No

Il transistor a effetto di campo con modalità di potenziamento a canale N di onsemi è progettato per garantire prestazioni efficienti in applicazioni a bassa tensione. Offre capacità di commutazione affidabili e una resistenza minima in stato attivo per una varietà di usi elettronici.

Supporta una corrente di drenaggio continua di 0,22 A e una corrente di drenaggio a impulsi di 0,88 A

Presenta una bassa resistenza in stato attivo di 3,5 Ω a tensione di gate di 10 V

Funziona efficacemente in un intervallo di temperatura compreso tra -55 °C e +150 °C

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