MOSFET onsemi, canale N, 3.5 Ω, 200 mA, SOT-23, Montaggio superficiale
- Codice RS:
- 178-4687
- Codice costruttore:
- BSS138LT3G
- Costruttore:
- onsemi
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Aggiunto
Prezzo per Unità (Su Bobina da 10000)
0,043 €
(IVA esclusa)
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(IVA inclusa)
| Unità | Per unità | Per Bobina* |
| 10000 + | 0,043 € | 430,00 € |
| *prezzo indicativo | ||
- Codice RS:
- 178-4687
- Codice costruttore:
- BSS138LT3G
- Costruttore:
- onsemi
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
MOSFET di potenza a canale N, 50 V, ON Semiconductor
Il modello BSS138L on Semiconductor è un MOSFET di potenza e il suo tipo di contenitore è SOT-23. Le applicazioni tipiche sono−i convertitori c.c./c.c., la gestione dell'alimentazione−in prodotti portatili e alimentati a batteria come computer, stampanti, schede PCMCIA, telefoni cellulari e cordless.
Bassa tensione di soglia
Il contenitore miniaturizzato SOT−23 per montaggio superficiale consente di risparmiare spazio sulla scheda
Il contenitore miniaturizzato SOT−23 per montaggio superficiale consente di risparmiare spazio sulla scheda
Transistor MOSFET, ON Semiconductor
Specifiche
Attributo | Valore |
|---|---|
| Tipo di canale | N |
| Corrente massima continuativa di drain | 200 mA |
| Tensione massima drain source | 50 V |
| Tipo di package | SOT-23 |
| Serie | BSS138L |
| Tipo di montaggio | Montaggio superficiale |
| Numero pin | 3 |
| Resistenza massima drain source | 3.5 Ω |
| Modalità del canale | Enhancement |
| Tensione di soglia gate massima | 1.5V |
| Tensione di soglia gate minima | 0.5V |
| Dissipazione di potenza massima | 225 mW |
| Configurazione transistor | Singolo |
| Tensione massima gate source | -20 V, +20 V |
| Lunghezza | 2.9mm |
| Numero di elementi per chip | 1 |
| Larghezza | 1.3mm |
| Materiale del transistor | Si |
| Massima temperatura operativa | +150 °C |
| Altezza | 0.94mm |
| Minima temperatura operativa | -55 °C |
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