MOSFET onsemi, canale N, 3,5 Ω, 200 mA, SOT-23, Montaggio superficiale

Codice RS:: 103-2965
Codice costruttore:: BSS138LT1G
Costruttore:: onsemi

MOSFET onsemi, canale N, 3,5 Ω, 200 mA, SOT-23, Montaggio superficiale

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Unità	Per unità	Per bobina**
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**prezzo indicativo

Codice RS:: 103-2965
Codice costruttore:: BSS138LT1G
Costruttore:: onsemi

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	200 mA
Tensione massima drain source	50 V
Tipo di package	SOT-23
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	3,5 Ω
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	1.5V
Dissipazione di potenza massima	225 mW
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Massima temperatura operativa	+150 °C
Larghezza	1.3mm
Lunghezza	2.9mm
Numero di elementi per chip	1
Materiale del transistor	Si
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	0.94mm

MOSFET onsemi, canale N, 3,5 Ω, 200 mA, SOT-23, Montaggio superficiale

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MOSFET di potenza a canale N, 50 V, ON Semiconductor

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