MOSFET Infineon, canale Tipo P 30 V, 3.5 mΩ Miglioramento, 0.23 A, 3 Pin, SOT-23, Superficie

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Codice RS:
250-0555
Codice costruttore:
BSS306NH6327XTSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo P

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

0.23A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Tipo di package

SOT-23

Serie

BSS

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

3.5mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

80nC

Dissipazione di potenza massima Pd

81W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

AEC-Q101

Infineon produce transistor MOSFET a canale N in modalità di potenziamento per piccoli segnali, ampiamente utilizzati in applicazioni ad alta commutazione. È a valanga e senza alogeni. Questo dispositivo è OptiMOS 2, transistor a piccolo segnale. Livello logico (valore nominale 4,5 V) e valore nominale a valanga. È 100% senza piombo e senza alogeni.

Canale N, modalità di potenziamento

Livello logico 4,5 V nominale

Dissipazione di potenza massima di 500 mW

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