MOSFET Infineon, canale Tipo P 30 V, 3.5 mΩ Miglioramento, 0.23 A, 3 Pin, SOT-23, Superficie BSS306NH6327XTSA1

Visualizza MOSFET
Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 confezione da 10 unità*

2,05 €

(IVA esclusa)

2,50 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Temporaneamente esaurito
  • 16.940 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per confezione*
10 - 900,205 €2,05 €
100 - 2400,194 €1,94 €
250 - 4900,186 €1,86 €
500 - 9900,178 €1,78 €
1000 +0,144 €1,44 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
250-0556
Codice costruttore:
BSS306NH6327XTSA1
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo P

Massima corrente di scarico continua Id

0.23A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Serie

BSS

Tipo di package

SOT-23

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

3.5mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

81W

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

80nC

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Distrelec Product Id

304-40-501

Standard automobilistico

AEC-Q101

Infineon produce transistor MOSFET a canale N in modalità di potenziamento per piccoli segnali, ampiamente utilizzati in applicazioni ad alta commutazione. È a valanga e senza alogeni. Questo dispositivo è OptiMOS 2, transistor a piccolo segnale. Livello logico (valore nominale 4,5 V) e valore nominale a valanga. È 100% senza piombo e senza alogeni.

Canale N, modalità di potenziamento

Livello logico 4,5 V nominale

Dissipazione di potenza massima di 500 mW

Link consigliati