MOSFET Infineon, canale Tipo P 30 V, 3.5 mΩ Miglioramento, 0.15 A, 3 Pin, SOT-23, Superficie BSS315PH6327XTSA1

Visualizza MOSFET
Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 confezione da 10 unità*

2,35 €

(IVA esclusa)

2,87 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • Più 8180 unità in spedizione dal 29 dicembre 2025
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per confezione*
10 - 900,235 €2,35 €
100 - 2400,224 €2,24 €
250 - 4900,152 €1,52 €
500 - 9900,141 €1,41 €
1000 +0,106 €1,06 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
250-0558
Codice costruttore:
BSS315PH6327XTSA1
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo P

Massima corrente di scarico continua Id

0.15A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Tipo di package

SOT-23

Serie

BSS

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

3.5mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

80nC

Dissipazione di potenza massima Pd

81W

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

AEC-Q101

Infineon realizza un transistor a canale P con modalità di potenziamento ampiamente utilizzato in applicazioni ad alta commutazione. È a valanga e senza alogeni. Transistor a piccolo segnale OptiMOS P 2. Livello logico 4,5 V, con classificazione anti effetto valanga.

Il livello logico è pari a 4,5 V

100% senza piombo e senza alogeni

La dissipazione di potenza massima è di 500 mW

Link consigliati