MOSFET Infineon, canale Tipo P 30 V, 3.5 mΩ Miglioramento, 0.15 A, 3 Pin, SOT-23, Superficie BSS315PH6327XTSA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
250-0558
Codice costruttore:
BSS315PH6327XTSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo P

Massima corrente di scarico continua Id

0.15A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Serie

BSS

Tipo di package

SOT-23

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

3.5mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1V

Dissipazione di potenza massima Pd

81W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

80nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

AEC-Q101

Infineon realizza un transistor a canale P con modalità di potenziamento ampiamente utilizzato in applicazioni ad alta commutazione. È a valanga e senza alogeni. Transistor a piccolo segnale OptiMOS P 2. Livello logico 4,5 V, con classificazione anti effetto valanga.

Il livello logico è pari a 4,5 V

100% senza piombo e senza alogeni

La dissipazione di potenza massima è di 500 mW

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