MOSFET Infineon, canale Tipo P 60 V, 3 mΩ Miglioramento, 3 A, 3 Pin, SOT-23, Superficie ISS17EP06LMXTSA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
244-2275
Codice costruttore:
ISS17EP06LMXTSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo P

Massima corrente di scarico continua Id

3A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Serie

ISS

Tipo di package

SOT-23

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

3mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

81W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Tensione diretta Vf

1.3V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

80nC

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

AEC-Q101

I MOSFET di potenza a canale P di Infineon offrono flessibilità di progettazione e facilità di gestione per soddisfare i requisiti di prestazioni più elevati, tra cui la gamma di prodotti a -12 V, ideali per la protezione delle batterie, la protezione contro l'inversione di polarità, i caricabatterie lineari, la commutazione del carico, i convertitori CC-CC e le applicazioni di azionamento a bassa tensione.

Canale P

Bassa resistenza di accensione RDS(on)

Testati 100% a valanga

Livello logico o livello normale

Modalità di potenziamento

Placcatura al piombo senza Pb; Conformità RoHS senza

alogeni a norma IEC61249-2-21

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