Transistor MOSFET Infineon, canale P, 300 mA, SOT-23, Montaggio superficiale

I MOSFET di potenza a canale P di Infineon offrono flessibilità di progettazione e facilità di gestione per soddisfare i requisiti di prestazioni più elevati, tra cui la gamma di prodotti a -12 V, ideali per la protezione delle batterie, la protezione contro l'inversione di polarità, i caricabatterie lineari, la commutazione del carico, i convertitori CC-CC e le applicazioni di azionamento a bassa tensione.

Canale P
Bassa resistenza di accensione RDS(on)
Testati 100% a valanga
Livello logico o livello normale
Modalità di potenziamento
Placcatura al piombo senza Pb