MOSFET Infineon, canale Tipo P 60 V, 3 mΩ Miglioramento, 0.18 A, 3 Pin, SOT-23, Superficie ISS55EP06LMXTSA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
244-2278
Codice costruttore:
ISS55EP06LMXTSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo P

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

0.18A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

SOT-23

Serie

ISS

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

3mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

80nC

Dissipazione di potenza massima Pd

81W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.3V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

AEC-Q101

Il MOSFET di potenza a canale P Infineon è dotato di flessibilità di progettazione e facilità di maneggevolezza per soddisfare i requisiti di prestazioni più elevati, tra cui la gamma di prodotti da -12 V che sono ideali per la protezione delle batterie, la protezione contro l'inversione di polarità, i caricabatterie lineari, i convertitori C.C.-C.C. con interruttore di carico e le applicazioni di azionamento a bassa tensione.

Canale

PBassa resistenza in stato attivo

RDS(on)100% con test

a valangaLivello logico o livello

normaleModalità di potenziamento

Placcatura del cavo senza piombo; Conformità RoHS senza

alogeni a norma IEC61249-2-21

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