MOSFET Nexperia, canale P, 240 mΩ, 1,5 A, SOT-23, Montaggio superficiale

Codice RS:: 136-4800
Codice costruttore:: PMV250EPEAR
Costruttore:: Nexperia

MOSFET Nexperia, canale P, 240 mΩ, 1,5 A, SOT-23, Montaggio superficiale

Prezzo per Unità (Su Bobina da 3000)**

0,063 €

(IVA esclusa)

0,077 €

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Unità	Per unità	Per bobina**
3000 +	0,063 €	189,00 €

**prezzo indicativo

Codice RS:: 136-4800
Codice costruttore:: PMV250EPEAR
Costruttore:: Nexperia

PMV250EPEA, 40V, P-channel Trench MOSFET
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	P
Corrente massima continuativa di drain	1,5 A
Tensione massima drain source	40 V
Serie	PMV250EPEA
Tipo di package	SOT-23
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	240 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	2.5V
Tensione di soglia gate minima	1V
Dissipazione di potenza massima	6,25 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Numero di elementi per chip	1
Larghezza	1.4mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Lunghezza	3mm
Carica gate tipica @ Vgs	4,7 nC a -10 V
Altezza	1mm
Standard per uso automobilistico	AEC-Q101
Tensione diretta del diodo	1.2V
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET Nexperia, canale P, 240 mΩ, 1,5 A, SOT-23, Montaggio superficiale

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MOSFET a canale P, Nexperia

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