MOSFET Nexperia, canale Tipo P -20 V, 125 mΩ Miglioramento, -3.3 A, 3 Pin, SOT-23, Superficie PMV65XPEAR

Visualizza MOSFET
Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 confezione da 50 unità*

19,90 €

(IVA esclusa)

24,30 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Temporaneamente esaurito
  • 3000 unità in spedizione dal 29 luglio 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per confezione*
50 - 2000,398 €19,90 €
250 - 4500,22 €11,00 €
500 - 12000,193 €9,65 €
1250 - 24500,176 €8,80 €
2500 +0,171 €8,55 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
151-3159
Codice costruttore:
PMV65XPEAR
Costruttore:
Nexperia
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Nexperia

Tipo di canale

Tipo P

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

-3.3A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

-20V

Tipo di package

SOT-23

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

125mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

12 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

5nC

Dissipazione di potenza massima Pd

6.25W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

1.1mm

Larghezza

1.4 mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

3mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

MOSFET per uso automobilistico. La più grande gamma al mondo di MOSFET di potenza AEC-Q101. Una conoscenza approfondita dei requisiti di sistema per il settore automobilistico e capacità tecnica concentrata consentono a Nexperia di fornire soluzioni con semiconduttori di potenza in una vasta gamma di applicazioni. Dall’attivazione di una semplice lampadina alle esigenze sofisticate di controllo della potenza in motori, corpi o telai, i semiconduttori di potenza Nexperia possono offrire la risposta a molti problemi di alimentazione nei sistemi automobilistici.

Conformità AEC-Q101

Valori a valanga ripetitivi

Idoneità per gli ambienti più difficili grazie alla temperatura nominale di 175 °C

20 V, MOSFET Trench a canale P. Transistor a effetto di campo (FET) in modalità potenziata a canale P in un piccolo contenitore in plastica a montaggio superficiale (SMD, Surface-Mounted Device) SOT23 (TO-236AB) che utilizza la tecnologia MOSFET Trench.

Tecnologia MOSFET Trench

Commutazione rapidissima

Maggiore capacità di dissipazione di potenza: Ptot = 890 mW

Protezione contro le scariche elettrostatiche (ESD): 2 kV HBM

Qualifica AEC-Q101

Link consigliati