MOSFET Nexperia, canale P, 125 mΩ, 3,3 A, SOT-23, Montaggio superficiale

MOSFET per uso automobilistico. La più grande gamma al mondo di MOSFET di potenza AEC-Q101. Una conoscenza approfondita dei requisiti di sistema per il settore automobilistico e capacità tecnica concentrata consentono a Nexperia di fornire soluzioni con semiconduttori di potenza in una vasta gamma di applicazioni. Dall’attivazione di una semplice lampadina alle esigenze sofisticate di controllo della potenza in motori, corpi o telai, i semiconduttori di potenza Nexperia possono offrire la risposta a molti problemi di alimentazione nei sistemi automobilistici.

Conformità AEC-Q101
Valori a valanga ripetitivi
Idoneità per gli ambienti più difficili grazie alla temperatura nominale di 175 °C

20 V, MOSFET Trench a canale P. Transistor a effetto di campo (FET) in modalità potenziata a canale P in un piccolo contenitore in plastica a montaggio superficiale (SMD, Surface-Mounted Device) SOT23 (TO-236AB) che utilizza la tecnologia MOSFET Trench.

Tecnologia MOSFET Trench
Commutazione rapidissima
Maggiore capacità di dissipazione di potenza: Ptot = 890 mW
Protezione contro le scariche elettrostatiche (ESD): 2 kV HBM
Qualifica AEC-Q101