MOSFET Nexperia, canale Tipo P -20 V, 125 mΩ Miglioramento, -3.3 A, 3 Pin, SOT-23, Superficie
- Codice RS:
- 151-3017
- Codice costruttore:
- PMV65XPEAR
- Costruttore:
- Nexperia
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- 151-3017
- Codice costruttore:
- PMV65XPEAR
- Costruttore:
- Nexperia
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Nexperia | |
| Tipo di canale | Tipo P | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | -3.3A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | -20V | |
| Tipo di package | SOT-23 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 125mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 5nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 6.25W | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 12 V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Lunghezza | 3mm | |
| Larghezza | 1.4 mm | |
| Altezza | 1.1mm | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Nexperia | ||
Tipo di canale Tipo P | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id -3.3A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds -20V | ||
Tipo di package SOT-23 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 125mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 5nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 6.25W | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 12 V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Lunghezza 3mm | ||
Larghezza 1.4 mm | ||
Altezza 1.1mm | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
MOSFET per uso automobilistico. La più grande gamma al mondo di MOSFET di potenza AEC-Q101. Una conoscenza approfondita dei requisiti di sistema per il settore automobilistico e capacità tecnica concentrata consentono a Nexperia di fornire soluzioni con semiconduttori di potenza in una vasta gamma di applicazioni. Dallattivazione di una semplice lampadina alle esigenze sofisticate di controllo della potenza in motori, corpi o telai, i semiconduttori di potenza Nexperia possono offrire la risposta a molti problemi di alimentazione nei sistemi automobilistici.
Conformità AEC-Q101
Valori a valanga ripetitivi
Idoneità per gli ambienti più difficili grazie alla temperatura nominale di 175 °C
20 V, MOSFET Trench a canale P. Transistor a effetto di campo (FET) in modalità potenziata a canale P in un piccolo contenitore in plastica a montaggio superficiale (SMD, Surface-Mounted Device) SOT23 (TO-236AB) che utilizza la tecnologia MOSFET Trench.
Tecnologia MOSFET Trench
Commutazione rapidissima
Maggiore capacità di dissipazione di potenza: Ptot = 890 mW
Protezione contro le scariche elettrostatiche (ESD): 2 kV HBM
Qualifica AEC-Q101
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